旺宏电子推出256Mbit序列快闪记忆体MX25L25635E

旺宏电子日前宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪记忆体产品─MX25L25635E。它创新的32位元定址技术，利用简单的切换，即可让原有的记忆体容量提高至256Mbit，并且还提供了能相容于既有24位元定址的模式，使得系统工程师及制造商易于提高原有产品的功能及效能。在产品设计日趋小尺寸化，以及无需增加现有接脚数与考量成本效益等情况下，旺宏电子的256Mbit序列快闪记忆体是高阶网通、数字机顶盒及服务器等应用产品最合适的选择。

既有的序列快闪记忆体位元定址为24位元，但却因此限制了它的容量发展，最高容量只能达到128Mbit。然而，随着市场应用发展日趋多元及复杂，128Mbit的容量已无法满足部份系统程式码或应用端的需求，而市场上现有的技术，卻仍无法提出有效的解决方案。



旺宏电子创新突破128Mbit容量的限制。旺宏电子的256Mbit序列快闪记忆体，结合了新的32位元定址技术与既有的24位元定址技术，除了可使容量增大至256Mbit，并且还保留了能与原有产品相容的方便性。这项新记忆体产品，在开机时为既有24位元定址的模式，使用者可视其需求自由选择切换至32位元定址，让系统工程师易于设计使用。

旺宏电子256Mbit序列快闪记忆体产品的主要应用市场，是在需大量程序代码及资料存储方面，如高阶网通、WiMAX、服务器、数码机顶盒、高阶投影仪、数字电视等等。另外，像需从快闪记忆体下载大量程式码的可编辑器件FPGA，也是另一个主要应用市场。在不增加现有接脚数及成本考量的情况下，旺宏电子256Mbit高容序列快闪记忆体产品是最合适的选择。

而旺宏电子256Mbit新产品MX25L25635E，除了容量提高外，在性能表现方面，更运用了旺宏电子Macronix Serial Multi-I/O (MXSMIOTM)的设计，在原有的封装及接脚设计下，即可选择双I/O或是四个I/O模式，实际提高I/O数，使得读取速度得以提升至两倍或四倍，这种高性能的优势，不仅让256Mbit序列快闪记忆体极为适合程式码及使用者资料存取，更进一步支援XIP (execute-in-place)的需求。

旺宏电子于十月推出样品后，于十二月正式量产。相关产品说明请至旺宏电子网站查询：www.macronix.com。

以下为MX25L25635E产品主要功能说明：

架构

·容量: 256Mbit

·符合Serial Peripheral Interface基本协定架构

·定址位元

24-位元模式

32-位元模式

·工作电压 : 2.7-3.6V

·抹除单位

4K-byte 区块

32K-byte区块

64K-byte区块

整块256Mbit

·写入单位

256-byte

1-byte

性能表现

·读取性能表现

单一I/O模式: 80Mbitps

双I/O模式: 140Mbitps

四I/O 模式: 280Mbitps

·写入性能表现

256-byte: 1.4mS(typical)

1-byte: 9uS(typical)

·抹除性能表现

4K-byte: 60mS(typical)

32K-byte: 0.5S(typical)

64K-byte: 160S(typical)

其他特有功能

·额外的4K-bit 安全一次性写入区块(secured OTP)

·支援Serial Common Flash Interface

封装

·业界 16脚SOIC

·符合RoHS的无铅封装

编辑：小宇