Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay™) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的SRAM的兼容替代产品。

Ramtron市场拓展经理Mike Peters称："FM28V020相比现有256Kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的FM18L08比较之下，FM28V020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2V的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40MHz，是需电池供电的SRAM或NVSRAM的简便升级产品。"

关于FM28V020

FM28V020是配置为32K x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的SRAM (BBSRAM) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程，减少系统维护，并且显得更加环保。F-RAM具有的写入速度快，几乎无限的读写次数等特点 (写入次数大约为1014次)，使其优于其它类型的存储器。

FM28V020在系统内的工作方式与其它RAM器件类似，可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可触发读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整个工业环境温度范围内工作。

关于V系列F-RAM

Ramtron 的V系列F-RAM产品采用由Ramtron 和德州仪器(TI)共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造，所实现的器件性能改进包括：

提高存储器性能： 随着FM28V020的推出，256-Kb 并口F-RAM的存储周期已从140ns降低到90ns，比Ramtron现有256-Kb并口 F-RAM 器件缩短64%。 SPI和 I2C 串口V系列产品的读写性能则较Ramtron现有串口F-RAM 产品提高2至3倍。

更低的工作电压，更宽的电压范围： V系列F-RAM由于采用德州仪器130nm F-RAM制造工艺，现已具有设置低至2.0V工作电压的灵活性，让F-RAM在更多电子系统的固有电压下工作。

FM28V020是不断增长的V系列产品之最新成员，V系列目前包括以下F-RAM存储器
• FM28V100 (1Mb并口F-RAM)
• FM28V020 (256Kb 并口F-RAM)
• FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)
• FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)
• FM24V05 (512Kb串口I2C-RAM)
• FM25V05 (512Kb串口PI F-RAM)
• FM24V02 (256Kb串口I2C F-RAM)
• FM25V02 (256Kb串口SPI F-RAM)

价格和供货

Ramtron现提供采用符合"绿色" RoHS标准的28脚SOIC封装的FM28V020样品，订购1万片，起价为每片3.49美元。

关于Ramtron International

Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com 。要获取300-dpi精度产品照片，请访问网页 www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx (参见串口产品)。