ST推出USB 2.0 ESD保护器件USBULC6-2M6,占位面积极小
时间:04-07
来源:电子工程专辑
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意法半导体(ST)推出电容和占位面积更加缩减的USB 2.0 ESD保护器件USBULC6-2M6,6引脚QFN器件提供完整的数据和Vbus电源线保护解决方案,符合IEC61000-4-2的第四级安全保护标准。体积只有1.0x1.45x0.65mm,尺寸极小,能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能(包括电源电压Vbus)的全部要求。由于在240MHz时最大电容只有0.85pF,USBULC6-2M6能够最大限度地降低失真,有助于工程师设计达到480Mbps传输速率所要求的10pF最大额定线路负载。
紧凑的占位面积和超薄的封装使USBULC6-2M6特别适用于手机、手持电脑、个人媒体播放器以及其它要求IEC61000-4-2保护功能的便携高速通信设备。新产品达到IEC第四级保护标准的15kV空气放电和8kV接触放电等级,击穿电压6.1V。此外,0.5uA的最大漏电流有助于降低功耗,延长电池使用时间。
在电路内部,USBULC6-2M6是为最大化信号透明度而优化设计的;为简化电路板布局,保护整个数据线的阻抗匹配度,新产品还在外部提供一个直通引脚连接方式。
通过组成两个互补性的保护型二极管网络,把电容匹配度控制在0.1pF内,USBULC6-2M6可用于保护各种高速差分和单端传输信号的应用。在3GHz频率时,额定插入损耗为零,这个特性允许新产品用于千兆以太网以及未来的高速通信协议。与其它的ESD保护产品如金属氧化物变阻器相比,新产品的钳位电压极低,能够为100nm以下的CMOS芯片提供更好的保护功能。
紧凑的占位面积和超薄的封装使USBULC6-2M6特别适用于手机、手持电脑、个人媒体播放器以及其它要求IEC61000-4-2保护功能的便携高速通信设备。新产品达到IEC第四级保护标准的15kV空气放电和8kV接触放电等级,击穿电压6.1V。此外,0.5uA的最大漏电流有助于降低功耗,延长电池使用时间。
在电路内部,USBULC6-2M6是为最大化信号透明度而优化设计的;为简化电路板布局,保护整个数据线的阻抗匹配度,新产品还在外部提供一个直通引脚连接方式。
通过组成两个互补性的保护型二极管网络,把电容匹配度控制在0.1pF内,USBULC6-2M6可用于保护各种高速差分和单端传输信号的应用。在3GHz频率时,额定插入损耗为零,这个特性允许新产品用于千兆以太网以及未来的高速通信协议。与其它的ESD保护产品如金属氧化物变阻器相比,新产品的钳位电压极低,能够为100nm以下的CMOS芯片提供更好的保护功能。
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