Hittite最新推出GaAs MMIC I/Q下变频器系列

微波I/O下变频器可连续覆盖9~24MHz的应用

全球知名的射频微波MMIC厂商Hittite公司日前推出3款新型的I/Q下变频器，适用于雷达、卫星通信、点对点通信、点对多点通信应用，支持频率从9GHz到24GHz。

其中，HMC869LC5 和 HMC908LC5内置一个低噪放，以及一个镜频抑制混频器，该混频器由缓冲放大器驱动。HMC869LC5的工作频率为12~16GHZ，HMC908LC5为9~12GHz。这两款下变频器的小信号增益高达14dB，镜频抑制比为32dB，本振端和射频端的隔离度优于45 dB。他们的噪声也非常低，噪声系数低至2.2dB。

另外一款HMC904LC5，是GaAs MMIC I/Q谐波下变频器，内置一低噪放，以及一镜频抑制混频器，其驱动为2倍的有源倍频器。该低噪声变频器的工作频率范围为17~24GHz，其小信号增益高于12dB，噪声指数低至3dB。镜频干扰抑制优于30dB，本振端和射频端的隔离度在全频带优于45 dB 。

HMC869LC5, HMC904LC5, HMC908LC5这三款I/Q下变频器都内置了镜频抑制混频器，这样省去了低噪放后面的滤波器，消除镜频噪声。这些变频器的输出为I/Q信号，需要外加一90°功分器得到需要的信号。这些I/Q下变频器要比混合式镜频抑制混频器的下变频方案小得多，并且也采用了SMT封装。

Datasheet可于Hittite官方网站下载，SMT封装的样片及其评估PC板均有现货提供，欢迎咨询Hittite授权代理商世强电讯。

讯泰微波（Hittite Microwave)

Hittite Microwave公司成立于1985年，专业设计并生产射频、微波应用领域的模拟/数字IC, MIC集成模块（可覆盖DC到110GHz频率范围）以及仪器设备。Hittite的RFIC/MMIC产品则利用MESFET、PHEMT、HBT设计，应用在GaAs、InGaP/GaAs、InP、SOI、SiGe半导体加工过程中。Hittite为满足特殊需要整合多种功能，同时提供高集成IC、MCM以及其它低集成混合电路。Hittite采用主流的半导体与封装技术、独特的数字/射频平衡综合技术，为客户提供经济实惠、操作便捷的产品。

世强电讯

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