德州仪器NexFET实现高效/高频/高功率密度

德州仪器(TI)宣布推出可在25安培电流下实现超过90%高转换效率的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)，晶片体积为同类产品的一半。新产品CSD86350Q5D Power Block为将两个非对称的NexFET功率MOSFET堆叠整合，可为服务器、桌上型与笔记型电脑、基站、交换器、路由器及高电流多重非标准负载点(POL)转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。
 
新产品除提高效率与功率密度外，还能以1.5MHz开关频率生成40安培的电流，有效降低尺寸与成本。另外，最佳化接脚布局(Pinout)与接地导线架(Grounded Lead Frame)可缩短开发时间，改善电路性能，并以低成本实现与氮化镓(GaN)等其他技术相当的性能。

新产品主要特性与优势为采用5毫米×6毫米小型无引线(SON)封装，其尺寸仅为由两个5毫米×6毫米四方扁平无引线(QFN)封装MOSFET装置的一半；还可在25安培的负载电流下，达到超过90%的电源效率，且与业界相同规格产品相比，效率高出2%，功率损耗则降低20%；另外，毋须增加功率损耗便可提高两倍频率及底部采用裸露接地焊垫的SON封装可简化布局。

NexFET技术可为高功率计算、网络、服务器系统及供电降低能耗。其高频率、高效率的类比功率特性，可为系统设计人员实现直流对直流(DC-DC)的功率转换。