ARM精密延时子程序设计

大家好！今天分享一个有趣儿的实用程序。
我的MCU的时钟频率是12MHz，时钟周期是1/12=0.083333us。
这种12MHz时钟情况下，要实现一个1us为单位的延时子程序，又要求比较准确，不是一件容易事儿。 您如果是使用几十~100MHz以上的高速MCU，就不要往下看了。
首先测试了for循环，不成功，最小时延1.8us，做不到1us，而且2,3,4,5us的误差都比较大。
后用inline __asm volatile ("nop")测试，可以实现，重复一次加多50ns。
最后，搞成了这个样子：
__attribute__( ( always_inline ) ) __STATIC_INLINE void __NOP(void)
{
  __asm volatile ("nop");
}
//-----uS delay ( >=1us)---------------
void vDelayUS(uint32_t u32DelayUS)
{
     volatile uint32_t i;

if (u32DelayUS <= 15)
{
     switch(u32DelayUS)
  {
   case 1:
       __NOP();
       __NOP();
       __NOP();
       return;
   
   case 2:
       i = 3;
       __NOP();
       break;
   case 3:
       i = 6;
       __NOP();
       __NOP();
       __NOP();
       break;
   case 4:
       i = 10;
       __NOP();
       __NOP();
       break;
   default:
       i = (u32DelayUS - 2) << 2;
       i++;
       i++;
  }
loop: if (--i > 0) goto loop;
  return;
}
    // >=16us
    u32DelayUS = (13260 * u32DelayUS) >> 12;
    for (i = 0;  i < u32DelayUS; i++) {}
}
注意，
1. ARM编译器的优化处理会对定时产生极大的影响，使用时必须用示波器测试调整。
2. 微秒级别的延时，运行时不允许有中断事件发生，要关闭所有中断。
3. 上面这个程序，适合1000uS以下使用。mS延时程序，有太多选择了。
4. 调整测试，1,2,3,4,5,15,16us, 1000us都需要单独调整，或者兼顾调整。
下面这个是测试用的，也可以单独使用：
//-----delay 1us-----------------------
void vDelay1us(void)
{
volatile uint32_t i=0;
__NOP();
__NOP();
__NOP();
__NOP();
__NOP();
__NOP();
}
请大家多提宝贵意见。

简单了解一下   毕竟不会

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