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双口ram读数据的速度太慢

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
系统结构与功能:
       lpc3131外接8k*8双口ram与8G Flash,从双口ram读取数据(来自FPGA),并存至Flash中。
问题:
       丢数据,系统速度远低于ram的读速与Flash的写速度。
  双口ram读数据直接采用指针,如下:
        for(i=0;i<tmp;i++)
      {
        nandflash.databuf[nandflash.ptr_buf] = *(volatile UNS_8 *)(EXT_SRAM0_0_BASE + ram.ptr);
        nandflash.ptr_buf++;
        ram.ptr++;
      }
Flash按页写的程序如下:
INT_32 nand_page_write(INT_32 devid,
                       void * buffer,
                       INT_32 bank_num,
                       INT_32 block_num,
                       INT_32 page_num)
{
  NAND_DRV_T *nanddrv = (NAND_DRV_T *) devid;
  NAND_FLASH_CTRL_REGS_T *nandreg = nanddrv->regptr;
  UNS_32 * pData;
  UNS_32 * pnfbuf[2];
  UNS_32 i,j,tmp;
  UNS_8 addr1 = 0;
  UNS_8 addr2 = 0;
  UNS_8 addr3 = (UNS_8)(((block_num<<6)&0x0C0)+(page_num&0x03F));
  UNS_8 addr4 = (UNS_8)((block_num>>2)&0x0FF);
  UNS_8 addr5 = (UNS_8)((block_num>>10)&0x07);
  pnfbuf[0] = (UNS_32 *) NANDFLASH_CTRL_S0_BASE;
  pnfbuf[1] = (UNS_32 *) (NANDFLASH_CTRL_S0_BASE + 0x400);
  nandreg->set_ce = NAND_SETCE_WP | NAND_SETCE_CV(bank_num);
  nandreg->set_cmd = NAND_CMD_SDIN;
  nandreg->set_addr = addr1;
  nandreg->set_addr = addr2;
  nandreg->set_addr = addr3;
  nandreg->set_addr = addr4;
  nandreg->set_addr = addr5;
  for(j=0;j<8;j++)
  {
    pData = (UNS_32 *)((UNS_8 *)buffer + j*512);
    tmp = j&0x01;
    for(i=0;i<128;i++)
    {
      *(pnfbuf[tmp]+i) = *(pData + i);
    }
    if(j>0)
    {
      while(!(nand_ioctl(devid, NAND_IRQ_STATUS, 3-tmp)));
      while((nand_ioctl(devid, NAND_IRQ_STATUS, 3-tmp)))nandreg->irq_status_raw = 0xFFFFFFFF;
    }
    nandreg->control_flow = NAND_CTRL_RD_RAM(4+tmp);
  }
  while(!(nand_ioctl(devid, NAND_IRQ_STATUS, 3)));
  while((nand_ioctl(devid, NAND_IRQ_STATUS, 3)))nandreg->irq_status_raw = 0xFFFFFFFF;
  nandreg->set_cmd = NAND_CMD_PAGEPROG;
  while((nand_ioctl(devid, NAND_RB_STATUS, bank_num)));
  while(!(nand_ioctl(devid, NAND_RB_STATUS, bank_num)));
  return 0;
}

为什么速度远低于芯片说明文档中的读写速度?
求指点,非常感谢!

RAM的读写速度很快 只是读写FLASH会很慢一些

你说的‘远低于’包不包括FLASH写页的过程?
如果包括建议合理安排写页和读取的顺序,比如可以在写页后先不马上判断是否写入完成,而是先读空双口RAM,然后再去判断,这样,最低的处理速度基本就只取决于FLASH的速度;还是不行的话就只有中断方式读RAM,或者中断方式结束写页判断;还是不行,就需要考虑换速度快的flash,或增加缓冲区大小了;
还有,时间比较紧迫的应用里面,尽量使用临时变量作为增量指针,不要使用结构体里面的元素,因为使用结构体里面的元素作为指针的话,会有一个对该元素寻址的计算过程,会花CPU时间,如果编译器优化较差的话,对一个元素的增量、使用、保存增量后的值,均会重复这个寻址的计算过程,成倍增加CPU开销

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