学模拟+《运算放大器噪声优化手册》读书笔记之六

第六章讲的是运放内部的噪声，介绍了一些基本的经验原则，使板级和系统级设计者深入接触运放集成电路设计。

大部分运放规格书中仅仅列出了运放噪声的典型值，并没有关于噪声随温度漂移的相关信息。板级和系统及设计者需要一个根据典型值来估算最大噪声的方法，此外估算噪声漂移如何随温度变化也是很有用的。从而总结出了最差噪声分析与设计中的5条经验原则：

经验1# 带宽电压噪声对于半导体工艺变化非常不敏感。

经验2# 运放噪声随着温度增加而增加。

经验3#1/f噪声（即闪烁噪声）高度依赖于制作工艺，因为1/飞噪声与制造工艺中的结晶结构缺陷有关

经验4# 板级和系统设计者们需要认识到运放电源静态电流(Iq)和宽带噪声成反比。

经验5#场效应管(FET)运放天生具有低电流噪声。这导致了双极型和FET晶体管噪声的区别。

轨道放大器是一个噪声与共模输入电压相关的特殊输入拓扑结构的例子

之后文中通过对双极型噪声和FET噪声进行了深入的数学分析，讲解的非常明白，由于涉及大量的公式，这里就不做细节方面的描述了。

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