学模拟+《运算放大器噪声优化手册》—第六章 运放内部噪声

1、如本章的引言所述，本章主要讨论决定运放本征噪声的基本物理关系。工程人员可以利用本章介绍的几种经验原则，依据典型的规格书来估算在室温和高温环境下的最差噪声。

2、五条经验原则：

（1）宽带电压噪声对于半导体工艺变化非常不敏感（变化小于10%）。此外，宽带电流噪声有可能浮动为典型值的2倍。

（2）运放噪声随温度增加而增加，但影响并不是很严重（最差情况33%），而且具体的影响还和偏置的方案有关。

（3）闪烁噪声与工艺紧密相关，因为闪烁噪声和工艺中的结晶结构缺陷有关。因此只要控制好半导体制作工艺，闪烁噪声的噪声等级不会有实质上的偏差。

（4）宽带电压噪声通常随着运放Iq的增大而减小。

（5）与双极型放大器相比，FET放大器通常有更低的电流噪声。对于给定的Iq，双极型放大器比FET放大器具有更小的电压噪声。

PS：请问本章所述的PTAT电流源以及零TC电流源是何意思?