学模拟+《运算放大器噪声优化手册》读书笔记 NO.6

第六章讲的是运放内部的噪声，介绍了一些基本的经验原则，使板级和系统级设计者深入接触运放集成电路设计。

最差噪声分析与设计中的5条经验原则：

1、 带宽电压噪声对于半导体工艺变化非常不敏感。

2、 运放噪声随着温度增加而增加。

3、1/f噪声（即闪烁噪声）高度依赖于制作工艺，因为1/飞噪声与制造工艺中的结晶结构缺陷有关

4、 板级和系统设计者们需要认识到运放电源静态电流(Iq)和宽带噪声成反比。

5、场效应管(FET)运放天生具有低电流噪声。这导致了双极型和FET晶体管噪声的区别。

文中通过对双极型和FET晶体管的噪声模型进行了深入的讲解，让我们知其然，知其所以然。