学模拟+ 《运算放大器噪声优化手册》第六七章笔记

以下为书中第六七章部分关键知识点。最差噪声分析与设计中的5条经验原则1 带宽电压噪声对于半导体工艺变化非常不敏感。因为运放噪声通常是运放供电静态电流(Iq)的函数。通常不同器件之间的偏执电流相对稳定。2 运放噪声随着温度增加而增加。对于许多偏置方案来说，噪声将正比于绝对温度的平方根，因此噪声在整个工业温度范围内变化较小(即在21-125摄氏度之间变动15%)。3 1/f噪声高度依赖于制作工艺，因为1/飞噪声等级不会有实质上的偏差。制造问题或者工艺上的改变会从实质上影响1/f噪声。4 板级和系统设计者需要认识到运放电源静态电流(Iq)和宽带噪声成反比。5 场效应管(FET)运放天生具有地电流噪声。这导致了双极型和FET晶体管噪声的区别。因为场效应管的输入门店刘本质上就比双极型放大器的输入偏置电流要小。反过来，双极型放大器在特定偏置电流下的电压噪声常常会更小(即输入级的集电极或者漏极电流)。跳跃噪声跳跃噪声是双极型晶体管基极电流的突变或跳变，或是FET晶体管门限电压的跳变。因为在使用扬声器播放该噪声时，听起来就像是爆米花的跳动，因此有了跳跃噪声的由来(也叫爆米花噪声)。跳跃噪声通常出现在1KHz以下的低频，1秒钟内可能有好几次突发。通常认为跳跃噪声是由点和陷阱或者半导体中细微缺陷导致的。在小于1KHz的低频应用时需要关注低频噪声。《运算放大器噪声优化手册》中给出了两种筛选跳跃噪声的方法。一是对噪声信号求导，然后再求导后的分布中寻找尖峰。二是观察峰峰值噪声。