学模拟+运放的封装级微调( e-Trim)
时间:10-02
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读博文《封装级微调与其它失调校正法的比较》(deyisupport./blog/b/signalchain/archive/2014/02/17/51622.aspx)为了减低运放的失调电压(VOS),TI又使出了新的一招——器件的封装级微调。该方法的调整工作是在器件最终封装后完成。作为用户可能并不会觉得这种方法的存在。为了更进一步了解,特下载了采用了采用了 封装级微调( e-Trim)技术的一款运放OP192的数据手册。从手册看来,VOS典型值可达5uV,最高值是25uV。从 VOS随温度变化的曲线看,表现也很不错的:
对VOS 这方面有特别追求的,可以关注一下,如有机会,找个样片实际测试一下。