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求论文 工艺LDMOS

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

求论文
1. Liu Yen-Ling
超薄型(0.15微米)SOILDMOS高压(>800V)元件之研究 High Voltage (>800V) Power Device Study Based on Very Thin(0.15um) SOI LDMOS Technology
2. 薄层SOI高压LDMOS器件模型与特性研究--《电子科技大学》2015年
3. 高压低功耗LDMOS研究雷天飞;电子科技大学
4. 基于gm/ID的低功耗电路设计研究--《杭州电子科技大学》2015
有那些家 Foundary 提供 > 100v BCD 工艺
0.8UM/100v BCD工艺 杭州士兰
csmc 0.25um ?
TSMC ?
UMC ?

TSMCYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY

你是说TSMC 有 > 100v BCD吗? 是多少 um ?
先前只听说 0.6um 40~60v BCD
我知道有很多家工艺是 600v 500v 800v .但是我找的是 100~120v .
VIS 有个 200V SOI LIGBT. 但是是要找LDmos 100~120v 左右.

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