复旦微电子面试时被问到的问题，求教

问题是求下面的电路中从输入到A点和输入到输出节点的频率特性，若输出负载电容是1P,10P,100P又是什么情况?当时很想当然的认为A点的频率特性就是在A点有一个主极点，大小为Ra*Ca，输出的极点是gn/Co，结果被鄙视了，
求大神指点迷津。仿真已经贴出来了，在后面的帖子里面，这是怎么回事呢?

射极（源极）跟随输出

你的偏置电压怎么这么加的?
如果出题人这么加……

偏置电压是我自己加的，为了省点事，哈哈。
麻烦问下，这个问题该如何思考

是射极跟随器，关键是BJT的B和E之间有一个寄生电阻Rπ，有点偏大，若BJT的集电极电流只有1UA,那么这个电阻可以达到十几K，是不是把负载电容连接到A点输出端了?这样的话输出电容是不是就会影响到A点的频率特性?输出的频率特性是不是也会发生变化?

有了跟随，主极点就在输出，A的极点1/RC,就会被推得很远

A点的极点为什么会被推得很远?1/RC不是固定的嘛，而且A点的阻抗很大 。仿真显示，在A点的频率特性有一个低频极点，还有一个零点，比极点高。随着BJT管子电流的加大，该零点往高频移动。输出极点貌似应该比A极点高吧，输出阻抗只有几百欧姆，

如果把BJT换成MOS就是前辈上面描述的一样，只是输出极点是次级点，主极点在A点

极点是RC的倒数你不会以为是RC吧?所以被鄙视了?

ljj他说你的偏置加错了 全是线性区 你要算下vdsat cas偏置偏压错了。偏置加错 你的仿真结果可能没有意义

bjt和mos的区别在于输入阻抗不同；bjt基极需要一个注入电流，那么A点就相当带有一个负载Rbjt（和负载电容有关）。那么A点的频率特性应该和A点看进去的（Rcascode//Rp//Rbjt）相关。
输出极点粗略算了一下为β/（rbe*C），不知道对不对！

复旦微还会问这种问题?神奇……

我觉得小编基本说的大体是对的，可能人家要求算出具体的吧，还有输入到A一个极点，输入到输出时两个极点

看格雷中文版上的3.73和3.77式
从Q3的基极看进去的电阻是r_pi + ro_Q3 * B
从Q3的集电极看进去电阻是1/gm_Q3 + ro_M3/B,
或者正是后面这个部分使输出电阻增大了

是RC分之一啊。我今天退了一下小信号等式，确实输出极点是在A点，但是不是1/RC，输出极点也不是gm/Co。

我也是这么想的，细细推了一下，确实发现BE间的内阻和Co会影响A点的频率特性，而且输出的频率特性也变了，但是我推出来输出极点的是1/Rpi*Co1,不知道推错了没有，在A点看得到两个极点和一个零点。推了两次都是这样，不知道是不是对的?

你这是啥面试啊

我也是这么认为的，mora的LDO书里面讲源随器那一章也提及到这个特性，说是和输出电容CO的大小有关，如果CO很小的话就不会影响A点的频率特性，如果CO很大的话就是A点的频率特性就变了，不知道我理解的对不对。

这个是我仿真的图片:黄色的是A点的频率特性，红色是输出的频率特性

仿真显示输入到A有两个极点和一个零点，输出到输入确实是两个极点，但是不是1/Ro1Co1，也不是gm/Co2.。我安上面的公式计算对应不上

尝试学习中 谢谢

你这偏置没问题，先仿下DC吧。A点的零点是可以预见的

AC仿真已经贴出来了，不理解怎么回事。另外想问问，LDO有两个环路的那种，是同时工作吗还是交替工作?为什么?
谢谢

学习来了。

第二级的emitter follower, base 和 emitter之间有parasitic cap, 当信号频率升高时，parasitic cap相当于把base和emitter短路，所以从输出看进去的等效电阻不是1/gm，而是趋近于第一级的输出电阻，ro. 所以当Cload很大时，用gm/Cload去估计第二级的pole是有问题的。

BJT的B和E之间有一个寄生电阻Rπ，有点偏大

LDO有两个环路的那种