工艺角coner为什么要跑高压及若干疑惑？
1，跑工艺角为什么要跑高压?
本人理解，电源电压越高分配给各个MOS的Vds就越大，那么各个MOS不就越容易饱和（毕竟Vds越大越容易满足Vds>Vod）。那么我们为什么还要跑高压
2.公司用GF55工艺，公司的工程师告诉我，跑coner的经验组合
TTvdd=1.8Vtemp=25
SSFvdd=1.62Vtemp=125
FFFvdd=1.98Vtemp=-40
这样跑的听说可以覆盖大部分coner，但是为什么SSF要低压高温，FFF要高压低温。以及SF,FS(工程师刚说用低压高温)又应该如何跑?
如果五个CONER与高低温，高低压，那么就有20种搭配。如果加上电阻，BJT不就至少上百种了?
是否有经典组合，或者经验组合?
看电路。没经验的话尽量多组合。
不怕跑的多，就怕覆盖不到
SS是slowslow， 低压高温 是可能的最差工作情况
FF是fastfast， 高压低温 最优。
TT是typical， 常规。
我们现在是看这三组的；明天再问问带我的dalao.
两个极端，一个最快，一个最慢。
两个极端，一个最快，一个最慢。
corner 一般是考虑 wafer 上可能因为工艺产生差异 .类似还有加入高斯分布去
蒙地卡罗 .一般设计会是 vcc x3 , temp x3 , corner x5 .
一个 case 最基本,OP amp , bandgap 就是跑 45次.
whole chip 一般不会跑如此多.花太多时间 . 而且 很多电路可能会发生 就是某corner 某温度某点 超过标准 ,这时RD 须要考虑该不该.
最差的要求就是 TT SS FF 都 跑过才算 .
FSSF 就不一定. 很多高压 40v model 60v model 可能跟本没有 FS 或是 SF
还有library 本身就有 lib_tt lib_ss lib_ff.
不会要你 bjt 跑 ss, mos 跑 ff .
会分别跑 mos bjt 电阻一般就是 蒙地卡罗 . 会跑分多次.
流片须要考虑 yield .不是 tt 过就算. 又不是学生写 paper .
paper 很多电路只是给你报告多好多优秀 . 但是实做流片
可能发现 跟本某日corner 会出问题 .
最遭还会发生 model 跟本跟流片出来不一样.
会不会?当然会阿 .
Fab 使用 model 都 20/5 20/1 .
你做 100/1 跟 20/1 *5 实测有没差?差很多.
以前做过 test key .高压nmos Ids 会跟model 差 3~5% .
pmos pa 差 20~30% , 特别是 spice model 你去看可能 vgs 0-40
只有 0/40 fitting curve (特别调 model ) 反而中央 12~18v 不准.
很简单阿, 因为 model 不好做阿 . 光是 mos 20/1~10/10 可能都能fitting
好点会文件後提出 工程师 meas & sim . 但一般 vds 偏小都差异很大.