讨论，如何估算运放的OFFSET

Voffset=0.1*tox/sqrt(W*L)
please see Razavi's book

恩，回去查一下，谢谢

这个是不是基于理想LAYOUT和工艺?

不解！
offset还可以估算?
期待解答！

好像Hspice2007不是新增了这个offset功能吗，可以省去蒙特卡罗

可以估算的，失调电压也好，失调电流也好，都是由于mismatch引起的，详见gray的书第236页

这个是个经验值,一些老上给出的值差不多都是这样的.
一般按照这个offset算出来/仿出来没问题的,实际流片回来问题不大

这是Vth失调电压的经验估计。
那么，意思是offset主要由Vth失调电压贡献?

差分输入matching下,一般这么认为

有人用过?

以普通0.5umCMOS process为例
tox=14n
W=20um, L=2um, m=2
Vos=0.1*14n/sqrt(20u*2u*2)=0.157mV
157uV的失调，未加任何的措施，可能吗?
这只是理想值，真实的失调CMOS工艺在数个mV到十几个mV之间，monto carlo跑下就知道了

mento carlo工具，要看你的分布参数的，你用的值可能是指非对称性晶圆上物理位置随机分布的器件的失配参数
对于上面的计算中，感觉上m放在分母上与WL一起sqrt与常识不合，m越多，匹配性越好才对
简单说就是40/2 的匹配性应该差于20/2 m=2才对

不解。
我们希望各个参数都matching，但失调是由工艺产生的。
不知道你所说的差分输入matching，。是什么意思

这里matching是指差分对layout，还要注意等压线、等温线。
另外上面那个公式分子似乎有些问题，Sansen书中给出的公式分子是Avt ~ tox*(Nb)^1/4。

xue xi xue xi

我觉得40/2与 20/2 m=2匹配性是一样的。m越多，匹配性越好是在WL不变的情况下。

不认同这个观点

应该将tox=14n转换为tox=140a来算

好像和overdrive voltage也有关系的。

就是Avth/Sqrt(W*L)
Avth=10 mv*um for 0.6um，并且和工艺feature size成正比
对于beta适配，比如有0..1％，那么Vos，in=0.5*200mV*0.001=1mV,

可以参考Fab提供的Mismatch报告

system & random offset

在有些fab的design rule中会有正态分布值
例如CMOS 会给出delta_vth ，和delta_beta/beta的正态分布的方差，
通过运算可以得到运放的input ref. os。
不过一般fab给的失调参数好少呀，连tsmc都是有一搭没一搭的。
想念我原来的公司了，有fab，每个工艺的design rule都有厚厚两大本。

谢谢小编的分享了！

ddddddddddddddddddddddddddd

vos主要有vth的mismatch产生，但是还是有其他的mismatch，如lamda等等，工艺不同差别很大的，但是就数量级而言应该是在同一个数量级的，如0.5um的工艺，大约在几十mv的样子

应该是几十mv/1um^2吧?
有人具体测试过吗?

基本上 layout mtach 的話
應該可以參考公式
但還是要看 fab 的功力了
不然量大, 就會飄出去 =..="