全差分的CMFB

，请教大家一个问题，关于全差分共模反馈的，如附件的图，
1、书上都说反馈R要比运放的输出阻抗大很多，以避免影响运放的增益，若R不是很大，甚至使得运放的增益就等于Av=gm*R，会带来什么问题?
2、M2管子工作在饱和区还是线性区?有什么差别?

1.如果R太小，与运放的输出电阻并联之后就使输出电阻大大减小，运放增益也大大减小；
2.M2必然要工作于饱和区。

还是不明白。
第一个，若我不需要那么高的增益，Av=gm*R，会带来啥问题?
第二个，必须工作在饱和区，能否解释一下?

gm*R增益很小的，一般不够用吧。M2是用作电流源负载，当然要工作在饱和区，这些概念很基础，拉扎维书上第二三章多看几遍。

不需要那么高的增益，就直接用个小电阻做负载或者二极管连接的管子做负载，就不用CMFB了
负载管的栅漏电压是相等的，肯定是工作在饱和区

不需要那么高的增益，就直接用个小电阻做负载或者二极管连接的管子做负载，就不用CMFB了
负载管的栅漏电压是相等的，肯定是工作在饱和区

干啥用的啊?这个电路差分输出没100mV 估计就失真了。（正玄进，非正弦出）电压增益估计也就是5。 别光想小信号，用起来需要大信号动态范围的。

我啥时候信元才能到100 啊。

实际上，我M2的管子是共源共栅结构替换掉了，CMFB的信号是接在共源管的栅，有看到CMFB amp with linear MOSs，我就不是很明白这两者之间的区别?

我M2的位置是共源共栅管，CMFB的信号接在共源管的栅，我需要定输出共模电压

不太明白你想要啥。不过这样不能得到固定的共模电压吧，VGS会随着工艺核温度有很大的变化

我知道这种结构的共模点的稳定性不好，只是不明白，他们需要将管子的工作状态设置在什么位置上是合适的，刚刚接触这种全差分的，有点蒙

问题1， M2的删需要多少V才能正好让M2电流等于Ib.
问题2， Vo1和Vo2的偏执电压。
你这个电路把Vo1和Vo2的偏执电压等同于M2的删。 增益下降不说，Vo1的信号动态范围小是问题， 除非你的应用不要求Vo1,Vo2有超过100m号范围。
至于CMFB，咋做都行，目标就是找到一个问题1的V（大概Vth + 200mV）让问题2的共模(根据Vdd和输入的共模值优化)在一个你想要的值而不是问题1的值。

输出共模就是VGS，肯定会随着PVT变化。这个应该设置多少，一般偏置到200mV左右的VDSAT就可以。有噪声核输出范围的考虑，就相应的调整一下了

M2 IN THE LINEAR REGION,THE AMPLIFIER WILL NO GAIN