如何设计bipolar放大器

请教各位坛友，谁有设计bipolar放大器的资料?
最近搞bipolar电路了，一头雾水啊。尤其在放大器设计方面，更是不知道怎么办了。、
设计CMOS放大器时，我们可以扫描管子的各个参数，比如L、饱和电压Vds等，以确定MOS管作为一个电流源至少需要多长的L和饱和电压。但是bipolar应该扫描那些参数呢?
各位，指点一下啊！

Gray的書可以看一下

感谢二楼的提醒，已经看过了，但还是不明白管子具体参数的设置。
或者这么问：设计bipolar放大器时，需要一个npn管作为尾电流。那么这个npn管的参数如何设置?比如需要这个npn管流过300uA的电流，那么这个管子的集电极—发射极电压、管子的beta值、偏值电压等参数的值是如何选取的?

说下我的看法，已知IC和饱和电流IS的话可以算出VBE，一般是0.7V左右。beta的话一般都是几十以上吧，不在乎电流镜IB的损失可以选小点。发射极正偏集电极反偏电流源就能正常工作，也就是VCE要大于VBE(约0.7V), 输出电阻ro=VA/IC。

感谢您的回复。我选择VCE为0.8V，看来bipolar想要实现低压3.3V供电，比较困难啊！

感谢您的回复。

我现在设计的opal只需要10MHz就够了。
我现在的设计中输入管的电流只有500nA。我发现如果输入管的电流超过5uA，那么放大器的零点会特别突出，放大器不稳定

VA是什么?

厄尔利电压

design kit里面会有peak ft的电流的吧 照着那个电流值 看看哪个基极电压符合
如果是尾电流的话 是不是要管子工作在线性区就可以了 然后根据具体的电流要求来选择尺寸
我记得是可以扫描一个 Ic／L 的值来确定的

不知电路温度特性怎么样

您说的“扫描一个 Ic／L 的值来确定的”是什么意思?“ Ic／L ”中的L是什么东西啊?

你好，若VCE>VBE，如果VBE=0.7V,那么VCE岂不是很大?（至少0.7V），那电压摆幅浪费很多的，不知道是不是VCE大概0.2V就可以了?还是bipolar基础的东西没弄清楚

电压摆幅浪费很多的