微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 请教一个关于R-2R DAC的问题

请教一个关于R-2R DAC的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
用一般的CMOS工艺可以实现一个有效位10 bit或12 bit的R-2R结构的DAC么,电阻用什么类型的比较好, N+poly, P+poly? 用with sallicide 还是no sallicide?

12bit够呛,精度问题
用什么电阻要看你的工艺文件,哪种电阻的mismatch小和电压系数vc1,vc2小,就用哪种。

二楼说的有道理

看来匹配精度很重要

相当够呛,8bit差不多。

靠matching基本不可能吧

R2R 10bit?
难度非常大,做出来不知道还有几位有效,建议搜索下相关paper,看有无先例。
一般都是低几位用R2R,高几位用cap,这样做到12,14一般都没问题。

学习了

要留好修调的

10bit都做不到,8bit顶天了



我见过一个14bit的

基本laser trim出来的,和我们讨论的不是一回事

是滴,如果是想直接做出来,8bit差不多了

小弟有見過 24 bit 的 R-2R DAC

落伍了,咱50bit r-2r dac都见过

传输门的导通电阻太大了,10bit我做过,要想继续做到更高位的话,传输门的尺寸会非常大,可能会让R-2R节约面积的想法得不偿失;

位数应给和工作速度有关吧

thanks for your sharing

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top