vco振幅
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
低压工艺中,如1.2V 90nm,在满足相位噪声的前提下,VCO的输出峰峰值最小大概多少就行了
此问题有些难回答,因为根据噪声的程度
以及您所用工意的参数有所关联,不过依
0.13um,1.2v的设计经验可以做到0.5V
peak-to-peak设计於频率为1.6G,
有小於-100dBc/Hz offset 1M
能够请教下二楼的,你用的是NPMOS交叉耦合结构还是单NMOS或PMOS结构
应该是 NPMOS交叉耦合结构
我也来学习一下相关指标
这个没有一个绝对的值,个人觉得在corner下提取layout寄生参数之后vco tank上的电压峰峰值最好不要小于300mV吧,否则起振可能就不能保证了。至于vco经过buffer后的幅度就更不好说了,这个要看后面divider的接口要求。 从噪声角度来说, tank上的电压幅度也不是越大越好,太大了非线性效应更强反而会恶化相位噪声。
这是很有趣的回答,多数论及相躁多是说
最好是非常不线性的切换-->代表切换速度快(由於加电流得到的效果)
6# scpuke
some datasheet specs like ADI say 300mV~700mV
最好是电流可调 可以控制输出幅度,个人觉得看不同的应用了。
电流的switching,很难保证切换都起振cover全频带,大家讨论下
迷惑中。
是否设计需要重视 电流受限区和电压受限区的分析和选定?
Thanks for Sharing
great
thanks
来学习一下