请教：关于BSIM 3v3模型的问题

看书的时候，都是用λ来表示MOS管的沟道长度调制效应的，但在BSIM 3v3模型中，
已经没有λ这个参数了，那在手工设计时，如何确定这个λ参数?

还有就是各位大侠用BSIM 3v3模型做设计时，好像跟书本的那种简单公式差别很大，
那这种情况下，书中的公式还有用吗?那手工计算时，结果和仿真出来的结果是不
是差别很大呀?

不知各位大侠是怎么计算的。

基本上没有人用BSIM 3v model去计算，这个只是用于仿真。
手算一般用简单模型就行了。当然精度不如BSIM 3V3的，所以算好后还需要仿真。
但是好像bsim 3v3还是有这个参数的吧，lamda，去找找吧。不过，一般也不用算得这么精细吧。

quote]原帖由 luoyih 于 2008-6-5 15:17 发表

看书的时候，都是用λ来表示MOS管的沟道长度调制效应的，但在BSIM 3v3模型中，
已经没有λ这个参数了，那在手工设计时，如何确定这个λ参数?

还有就是各位大侠用BSIM 3v3模型做设计时，好像跟书本的那种简单 ... [/quote]

对于大尺寸器件来说，课本上的公司还是具有重要的参考价值，计算结果和真实结果相差不会大。但书本上的公式并没有考虑到尺寸减小所带来的一系列小尺寸效应，而这些效应在BSIM模型中被考虑到，再加上为了SIMULATOR能更好的收敛，BSIM模型才会如此复杂。但它能够真实的模拟出小尺寸器件的性能。
BSIM模型中主要通过lint and wint，dwc and dlc反映工艺对尺寸的影响，前者用在dc模拟中，后者用在cv模拟中。

如果需要的话λ的值是可以提取的, ALLEN的书后面的附录里有提取MOS管各个参数的方法

有吗?

学习一下

Allen关于CMOS器件简单模型参数的线性迭代计算：e.g., lamda
@附录B CMOS器件性能