求大神指点3个阈值电压有什么区别

用不同方法拟合出来的

能具体说说条件么?我只知道vth_lin的

Vth_gm是用gm法推导出来的，推导时Vds置于线性区Vdlin，通常为0.1V,扫Vgs从截至区到Vgg，得到ID-VG曲线，在此曲线上找到gm最大点，在该点做切线与VGS轴相交，交点VG再减去0.5*Vdlin就是Vth_gm值。具体可参考Narain Arora的MOS器件模型的书，需要从MOS特性的角度推导出ID-VG的关系，就能明白其意义了，特别是最后要减去0.5*Vdlin的原因。
Vth_lin是用所谓的固定电流法得来，常用的判据是0.1uA*W/L，Vds置于Vdlin,扫Vgs从0-Vgg，当Ids等于前述判据时即认为Vgs=Vth_lin
Vth_sat与前述Vth_lin用同样方法得来，只不过提取时Vds置于饱和电压Vdd。
具体的内容请参考Narrain Arora的《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践》。

看来是做器件的大神

您的回答很有用,让我搞明白了,算是有收获了,非常感谢您！

您好，1）请问这三个值在使用上有什么区别?2）BSIM4中介绍的VTH公式怎么理解，与Vth_gm Vth_lin Vth_sat是什么关系?
3）spice仿真是用LV9报出来的阈值又指的是什么?

4）普通器件书上讲的电流模型中I=0.5ucoxW/L（Vgs-Vth）^2,这公式中的Vth该取上述的哪一个Vth?
谢谢

哦哦，获益多多

学习了！

感谢，学习一下。

Thank you for the reply, learning