关于VDD和GND金属层的问题

我现在用的工艺有九层金属，请问VDD和GND应该用哪层金属、如何连接到底层的M1、OD上?好像大家都用顶层金属做VDD plane和GND plane。 如果这样是不是比如用M9作VDD plane、M8作GND plane，尽可能地在芯片全局铺开，然后到了哪里需要连接的地方再用via从M9/M8一直打下去?
还有一个问题：其它层的闲置金属（比如只用了很少部分的M5\M6\M7）怎样处理最好?是不是应该尽量填充，都连接起来然后全接GND?
谢谢

要有规划！如果是模拟电路，模块一般只要用M1～M3就够了！
M4～M5可以作为模块间互联。包括模块间的电源地

M6～M7大模块（大区块）之间的互联

M8～M9 Top层的电源地

不知道你是用来做模拟还是射频电路，模拟电路的看楼上说的。
如果是频率高的话（微波或更高频率），一般都是用顶层做地，九层的话就是M9是地，M8是电源，一般还会用M7做地，M6做电源，整个芯片铺开，再放大量去耦电容均匀分布在整个芯片上。这样的好处是电源和地之间在很宽的频带内都是低阻抗，可以忽略电源和地回路的电感。
顶层金属做地的另一个好处是方便使用射频探针测试，GSG探针的两个地PAD直接接到顶层金属上。
推荐你看一下High Frequency Integrated Circuits的13.1.3和13.1.4节。如果你是做高频电路的（微波或更高），强烈推荐这本书

这个方法真好！很有道理！多谢多谢！

多谢指导！我的电路算是模拟+射频，但主要是模拟。能否在请教一个去耦电容的问题：一般去耦电容释放外在芯片外围空白处，这样的话是要放入mim_cap 吗?如果是的话，那mim_cap本身占了大片的M8，甚至是M7~M5(如果是mim_cap_rf), 那就不能用M8\M6作VDD了，只能用底层金属。这种情况一般怎么解决呢?
还有就是放了好多mim_cap去耦电容的话，过LVS是要将他们都按尺寸加在schematic里吗?
谢谢