请教－－－小问题

此前，小弟曾经在论坛上发过一篇“劳动成果共享之二———电流镜设计报告”，当时年少无知，初涉模拟，许多问题考虑歉妥，诚向同学们道歉。
之后，有位同学给发了建议，个人觉得非常重要，他来信提到：
1。cascode device L取最小尺寸即可；
2。Vdsat的分配比例3：2或3.5：1.5更好。
现在，小弟又要搞个OTA，碰到同样的问题，觉得很有必要“如这位兄长所述的一样”优化一下，但对其中的道理不是很明白，具体电路是常用的
自偏置共源共栅电流镜，如图所示。
附带一个疑问：咋样直接贴个电路图，讨论电路问题，直接贴个图特别适用啊！

没看懂你的问题

怎么能用电阻呢?

个人认为：靠近地的一层对匹配精度影响大，因此L应该取大，因为Vt、beta的不匹配直接反映到Vgs；上面一层L取最小尺寸可以抑制耦合噪声

个人认为：靠近地的一层对匹配精度影响大，因此L应该取大，因为Vt、beta的不匹配直接反映到Vgs；上面一层L取最小尺寸可以抑制耦合噪声

怎么能用电阻啊?

这种电路应该经常用在双极电路里。CMOS中晶体管的成本很低，比例精度又高，应该用晶体管搞个偏置才对。电阻即不准又浪费面积，非常不明智。

電阻的確很浪費面積
用MOS取代會比較好
小弟我真是見識到拉~

基本同意wins2000sp3兄弟的观点，MOS版本的cascode电流源电路在David Johns和Ken Martin的书里面已经讲的很清楚了。
这里面R1的作用就是来调整M3 M4的偏置电压的，我看直接调整M6就可以了，不然再添加一个MOS管多麻烦啊。M6是不需要和M3 M4匹配的，楼上兄弟同意否?

不喜欢这种电阻自偏置的bias，管子尺寸大了还可能碰到不稳定的问题。
CMOS工艺里，很少这么用的，我是从来没见过别人的设计里这么搞。
acdamic一点,要求高一点，就参照paul gary的书。
懒惰一点，要求低一点，用一个长管子就拉倒了。

要求不是很高的低频电路里这种结构非常常见,包括TI.NS,LINEAR的电路里都有这样的结构,

同意楼上~！