开关电容阵列

开关电容阵列使用MIM电容好，还是使用VRACTOR好?

参考如下：
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=283138&pid=6114318&page=1&extra=#pid6114318
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=93970&pid=6114748&page=4&extra=#pid6114748
在第一个链接中
MOS开关太大，引入了很大的寄生电容，导通电阻已经不是很明显。
在第二个链接中#10
建议Varactor使用I-MOS可变电容，开关管也使用I-MOS可变电容。I-MOS可变电容自身具有开关特性，不需要另外的MOS开关。
做宽带压控振荡器建议参考下面的文章
袁路，唐长文，闵昊，“一种低调谐增益变化的宽带电感电容压控振荡器”，半导体学报，2008年，第五期，第29卷，第1003-1009页。

CJS08May.pdf (1.35 MB)

I-MOS 电容的话，在交流平均的情况下是阶跃模型，但是在实际情况下，用MIM开关电容阵列是一个固定电容值，这样电容随震荡电压变化很小，这样会不会有利于改进相位噪声呢?另外，SMIC下都是A-MOS，不知道同样的方法需要在DIGITAL 控制端加入二次谐波滤波器，滤除二次谐波吗?

佛挡杀佛阿斯蒂芬