CSMC 0.5um2p3m mixed signal工艺问题

近来要流CSMC 0.5um2p3m mixed signal工艺，工艺库还存在一些问题，不知大家遇到过吗：
1.此工艺说是双井工艺，但是layout只有N-well层，据说CSMC的工程师说是p-well掩膜版取反，也就是说没有Nwell的地方全部是P-well，岂不是没有衬底的位置，有这样的工艺吗?还是我理解有问题；
2.打开库里提供的nmos，没有n+注入层，而pmos却有p+注入层；
3.spectra仿真加载不成器件model，这个需要手动吗?
，在这方面比较小白，有谁流过此工艺，或知道怎么解决得，请不吝赐教！

电路设计用到具体的工艺时，遇到问题，最好和foundry 的工程师联系解决。

1. pwell should be on top of p-sub
2. please send out the layout for more detail
3. please describe the error message from spectre

dingdingding

学习中，一窍不通啊还

按照工艺规则N+取的是P+的反版，在design rule的第三页有说明。

1. 現今的工藝不管是不是twin well都是p-sub 在最下層當base
2. 應該都有注入diffusion
3.有的pdk 需要手動

dingding

P+注入后，把P+掩膜版取反作N+注入，只有在有源区才有N+注入（多晶硅下除外），其它部分被场氧阻挡，

学习中，一窍不通啊还

这个还是好老的帖子哦