关于CMOS工艺中diode的使用问题
使用时遇到如下几个问题。
1. 二极管有 P diff，N diff，Nwell，native n几种，在使用时应该选用哪种呢，各自在特性上有什么区别?
2. 二极管是不是在任何电压下都是正常工作的，因为不会像MOS管一样有几种特性吧?
谢谢！
帮顶
建议你用肖特基，很多工艺的二极管都不能正偏的因为电流太大，稍不留意就和周围的地方组成pnp或者npn了，那么collector会流很大电流
肖特基二极管固然是很好，快速开启，但是多一层mask;
其实，从纵向角度看器件，非衬底隔离型二极管，正向导通时候，都是一个三极管，往衬底注入电流，容易引起latchup。如果有隔离型二极管可以考虑使用，但是正向导通电流大小和二极管面积大小需要计算，避免器件局部过热和电流积聚。
看电源load有多大，load要是大的话二极管应该比较难做，不如用level shift + por
我用的工艺有如下几种二极管，由于二极管是放在电源和电路间的，势必要走较大电流，超过50mA，请问该如何选择呢?还有就是如果用普通二极管如何更好的避免 latch up?MOS管一般会通过打guard ring，二极管也用这种方法吗?
我的工艺有这几种diode：
1. P diff diode
2. n diff diode
3. Nwell Diode
4. Low vt nDiode
5. Low vt pdiode
6. Psub-Deep NWell Diode
7. Pwell-Deep Nwell Diode
不知道哪种更合适?
负载电流比较大，超过50mA了。
麻烦指教一下level shift 加por怎么用呢，怎么等效于diode的功能?
我的目的就是能够让两组电源哪个高就由哪个供电，而且希望压降尽量小，比如我系统供电是电源是5V，而电池供电时电源约3.6V，假设二极管的压降是0.7V，我可以在5V上串联2个二极管，在3.6V上串联1个二极管，这样，负载电路就会工作在2.9V~3.6V。
肖特基二极管不知道是不是每个工艺都有?我在我的工艺下没有找到这种二极管，而且后边xiaowanzi88 小编 说要多一层mask，产品做好后是要量产的，而这个二极管全芯片可能就用不超过3个，为此多1层mask，量产后每次流片也会贵一些，这样就不太行了。
他说的带隔离阱的也要多mask的，而且有的工艺这层和肖特基的那层是一样的，而且数字为了防漏电也要用这层，量产的话掩膜费用比制造费就低了啊，当然要看你量。实际上用mos管代替就可以了啊，你这个不就类似充电宝之类的么
哦，都会加一层那就无所谓了，我的意思是量产的时候wafer的价格也会和层数有关系，多一层的话wafer价格也会贵一些。
如果采用mos管做二极管的话，会不会由于负载电路的工作导致压降的变化呢，比如负载重的时候这个二极管接法的mos管压降会大一些，这样相当于负载电路的供电电压就低了，而当负载轻的时候压降小一些，相当于负载电话的供电电压就高了，我的负载电路中有震荡器结构，电压变化会对精度有影响吧?
另外，我还是没有在工艺中找到肖特基二极管，pcell中有很多二极管比如ndiff，pdiff等等，但是没有看到肖特基的，这个是pcell里会带的吗，还是说我用的这个工艺就没有这种二极管?
摊到一个die没到一分估计
两种电压一般是4.2的电池，5的usb，那么你mos管0.8V的vth总够用了，而且这管子面积一般跟你内部电路面积一样大，不用担心负载变化的。而且你内部电路实际的电源还是得由反馈来钳位的，不可能直接用这个电源，所以不应该有影响。
那就是没有了，啥工艺?
估计你的工艺里面可能没有肖特基二极管，针对你的设计要求，可以考虑使用二极管接法的MOSFET来实现，50mA的导通电流，建议在并联个数上多增加一些，以减小导通内阻，考虑一下这样的管子实际功耗，以及发热时候给周边器件的匹配带来的影响。感兴趣的话，你可以使用一个分立的二极管，尝试通过50mA电流，估计在导通瞬间，在不串联限流电阻的前提下，会直接烧掉。
power select circuit
为什么不用MOSFET做个switch呢?
这个是要看你diode上面走的电流有多大，50mA的电流太大了，在power上面加diode，diode功耗就将近30mW,对于一般电路来说太大了，发热会成问题，电路的efficiency会降低很多，还是把你的想法大概画个图看看吧
HHNEC 0.13
担心MOS不稳定，怕电流影响二极管接法的MOS压降过大，电压太低了。
不串联限流电阻是啥意思，无负载直接接地吗?之前的产品两个电源和这几个二极管一直是放在片外的，用着貌似没啥问题啊，这次为了节省板级面积，要求做进去了。
30mw放在片内影响会非常大嘛?一直没注意这个。方案见图，不知道是不是描述清楚了。
diode_question
那可以用P管啊，不用接成二极管形式
这个应该还好吧，估计大部分电流都被高压部分消耗了，低压那边电流应该不多吧
你这些二极管一个都不能用，一定要是isolation的管子才行，换电源选择电路，用MOS实现
我通过：
1.电压比较实现power select，比较产生的信号用于控制两路switch的开关。
2.每路switch由两个串联的pmos 实现。
3.注意Pmos的nwell电位接法。
我不知道能否实现你的那个功能。
22楼正解。只要你的管子的耐压足够支持这两个电源电压，还是考虑用23楼所说的切换电路吧。
低压部分大概20mA左右吧，高压部分在3.6V供电时会停掉。3.6V供电时5V就没有了。
为什么一个都不能用呢?有什么问题吗?
isolation的管子是什么意思呢?电压选择电路由谁来控制呢?会自动根据电压的情况进行切换吗?能否给个样图?
谢谢！
您是说用比较器来选择，然后控制PMOS导通哪边吗?那这个比较器的电源由谁给呢?能否给个示例看看。
非常感谢！
管子承受电压倒是没问题，都是用的5V的mos管，电流的话可以通过多并几个管子来分担，也问题不大。但是还是不太明白为什么不能用二极管来控制电源系，会有什么问题吗?
关于电源选择电路，如何确定什么时候选哪个呢?我是需要达到当5V没电时3.6V就供电了，中间不能有掉电的情况。电源选择电路应该用哪个电源给他本身供电呢?
谢谢！
这些diode可能都存在与衬底的寄生，因此不一定能够正偏，你查一查工艺文件就知道了。
电源切换电路建议通过paper或者patent去找参考，有很多。
nwell diode负极是接衬底的，无法实现你的功能，建议用FET