关于MOS电容工作在积累区（对于NMOS的话，就是栅压相对于背栅为负）

NMOS电容栅衬电压正偏的话，其电容值该MOS管在未构成强反型的时候会存在电压调制效应，容值改变较大，因此我想让其工作在积累区
即对于NMOS的话，当栅压相对于背栅为负时，体硅中的多数载流子就会被向上抽取并积累在栅氧化层下面，从而使电容工作在积累区
对于PMOS的话，就是栅衬电压为正
我现在想使用PMOS做电容，让其S、D、B三端接gnd，栅极接我需要偏置的电位，请问这种方法可行吗 使用这种方法有没有什么限制，PLL中CP后的环路滤波器可以使用这种电容吗
如果PLL中环路滤波不能应用的话，那给稳定的共模偏置滤波可以使用吗
谢谢！

自己顶一下，没人这样用过吗

嗯 继续顶 大家一般是怎么使用mos电容的 做什么用途?

我没有实际的经验，只好奉上一点资料，希望有用。
来源于版图艺术一书，见附件。第二页的内容基本重复，所以只截了一页。

谢谢，我也是看了版图艺术才知道有电容工作在积累区这个说法
就是不知道实际使用上有什么限制

再顶一下吧。个人感觉不存在问题，但慎重起见，还是要等有经验的人回答一下。

是啊，谢谢帮顶：）

4楼很详细，谢谢分享

可以这样使用的1

MOS电容要是有那么准还开发PIP或者MIP电容干啥?浪费...

MOS电容只能用在对电容精度要求不高的地方
没做过PLL之类的东西，不知道小编需要的精度

OK，没问题地

滤波可以用MOS CAP的

学习了！

学到了

完全可以的。

很详细呀

也有同样的疑问，MOS电容可以工作在堆积区吗?

积累区的ESR比较大，下极板电荷只能通过衬底存取，衬底阻抗大。耗尽区直接通过沟道到源漏再从表面的氮化硅到contacts吸上来，ESR小。

很有道理！