PIP，MIM，MIP电容下极板的寄生电容一般有多大？

看和substrate的距离

定性上看底极板和衬底的距离，定量上你调出版图，提取寄生参数。（工艺数据文件好像找不到）
我以前在设计比较器失调消除电路时，计算过MIM电容下极板寄生电容的大小。这里给你提供下我当时估算0.18 smic 工艺 中 MIM电容（M5-M6）下极板寄生电容的数据：
对于一个尺寸为 25u*25u的MIM，candence assura 寄生参数提取表明 :
总电容 25u*25u*0.97fF=606.9fF
上极板寄生电容 21.64fF
下极板寄生电容 23.18fF
上极板理论上应该很小，和别人讨论觉得是软件没有考虑下极板屏蔽作用的缘故。
下极板的寄生电容是总电容的1/25，即4%，和拉扎维书上所说的20%相比，这已经很小了。我觉得这是第5层金属和衬底之间距离很远的缘故，多晶的就没有这么好运了。
另外提一下，
在ADC的采样电容中，我见过PIP电容和叉指电容（用的是345层金属之间夹层电容），等效到相同的工艺，它们下极板电容比MIM要大得多，但是芯片里就是大胆地用了，我觉的这里的关键是只要上极板寄生电容够小就行了，因为“底极板”采样只考虑上极板对地的寄生电容。

谢谢3#的讲解。

很好，学习了