high performance bootstrapped switch（自举开关） cir design

对于14bit 250M ADC 的设计，在SMIC 55nm 工艺下面结构自举开关能达到什么样的性能?SNDR SFDR 能够达到多少?
电压1.8V
大神们过来讨论下?目前输入频率为1.8V 55MHz SFDR=98dBSNDR=80dB 再往上调比较困难，必须换结构?

建议：1）想办法提高M3的drain电压
2）M11的body接法慎重考虑
3）vin和M9之间插入source follower
另外，M6是否多余?有何作用?

谢谢回复1）M6不多余，上图右错，M5的源应该接到M6源处；
M6可以使得M8的Vgs达到vdd
2）body该怎么接呢?普通NMOS难道用deepnwell?
3)source follow 作用是什么?减少ｖｉｎ看到的负载?

M6的作用应该是保护M8。

不知道小编这个自举开关最后做的怎么样了。

小编是公司的还是高校的，这是准备用在SAR里面的呗

你知道输出频谱怎么仿真吗?