微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > region判别MOS管工作区;以及vdsat、vds、vgs-vth之间的关系

region判别MOS管工作区;以及vdsat、vds、vgs-vth之间的关系

时间:10-02 整理:3721RD 点击:



在前仿中,在Results Display Window中,
1、如何根据region的值判断MOS管工作在哪个状态?
2、vdsat、vds、vgs-vth之间的有什么样的关系,能否直接用vsat判断管子的工作状态?
求大神解答,谢谢!

Hi,
1. region=0,1,2,3应该分别对应MOS管的截止区,线性区,饱和区和亚阈值区
2. Vdsat在长沟道工艺下等于Vov=Vgs-Vth,但在先进制程下已偏离Vov,具体解释论坛里有人发过你可以找下,另外可以根据Vds-Vdsat来判断管子的工作状态,比如Vds-Vdsat>0就认为在饱和区了,实际设计中还会留一定DC margin,
坐等高手讲解~

谢谢你的解答,第一个问题没有疑问了。第二个,之前也在论坛上看到哪个帖子,当考虑到长沟道效应的时候,Vgs-Vth=Vdsat,只要Vds>Vgs-Vth,MOS管进入饱和区,而在实际中不仅存在长沟道效应,也存在这短沟道效应,这个时候MOS管会发生速度饱和(也就是提前进入饱和状态),此时就会出现Vdsat比Vgs-Vth小很多的情况,决定MOS管的饱和状态的不是Vgs-Vth的值,而是Vdsat的值,只要Vds大于或等于Vdsat的值,就认定进入饱和状态。那我在前仿中,只要Vds大于或等于Vdsat的值,就判断进入饱和区呢?

嗯,你可以看到当Vds>Vdsat的时候,MOS管的region就会对应为2,但design的时候还是要考虑PVT的影响,让Vds-Vdsat大于某个经验值才比较安全。

这个经验值一般会是多少呢,是不是还跟其他的因素有关呢,比如说工艺不一样,这个经验值就会不同

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top