反向bandgap遇到了一种未知器件，特来请教，谢谢！（内图请进）

这个可一个根据电链接关系去判断吧，或者根据电路结构吧

Cap?

从你提取出来的电路上看，未知器件的栅接的是什么电位?

耗尽型NMOS管

應該是depletion NMOS,其Vth是負值！

看不懂

应该不是，栅极是和漏极接在一起的
电路未提出来，没搞明白这种器件，所以感到迷惑
栅极的接法如下图所示，都是接地的，通过未知器件产生一个电流，这个电流留过其它电路产生基准，
看起来原理有点像利用漏电流，如果用的是DB的反向二极管电流，如果叠三个管子，
电流就会从最上面的那个未知管子的漏极流向衬底了，而不是流过三个管子

多谢大大们指点！

沒錯就是depletion NMOS,充當Current source用！

我是来学习的，呵呵

反向的是日本人的芯片?他们好这口

恩，应该是耗尽型NMOS

耗尽型NMOS作启动电路 做bandgap可以提高性能 但很多工艺没有这个器件

这会不会就是NMOSCAP啊?NMOSCAP就是P阱做下极板，上面是poly做上极板的，其做下极板的P阱掺杂的可以与PMOS管接VDD的阱浓度有不一样吧?所以颜色会有一定差别。不一定哈。听听各位是怎么看的，最近刚刚把一个NMOSCAP当成MOSFET电容提取，结果吃了大亏。

已经确定了是N型耗尽管了。NMOSCAP当成MOSFET电容提取，你的意思是MOS电容只能工作在积累区，如果工作在反型区电容就会变得很小是吧?

这很像Richtek用TSMC做的电源芯片。多了一层Dep注入。

depletion NMOS

是的。我的这个问题非常要命。因为用在失调消除电路中，所以D、S端经常处于中间电平，那么VGS经常会小于阈值电压，因此电容不仅大大减小，而且线性度极差，基本不能保证功能了。浪费了我好长时间，跟大家交流一下。希望大家不是我的问题，我这个问题是最近才发现。找了好久啊

说错了。不是的。经常工作在截止 区，那电容值会很小，线性度会很差。如果工作在饱和区的话。线性度还是可以的。跟NMOSCAP差不多。

當Current source用！

根据电路结构

直接用VGS=0的depletion NMOS做current source可以省掉很多的bias current generator，不好的就是会增加一层mask。

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耗尽型的