模拟集成电路设计精粹 0251 ppt
时间：10-02
整理：3721RD
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各位大侠，我始终不明白willy Sansen这里讲的ids为什么会随着RL的增大而增大，IL不是应该和ids相等吗?另外拐点RL=RLC=gm*rds*Rb是在什么条件下确定的呢?
千万别沉下去了，也许这里有我或者很多人的理解误区，希望有人指点。
从MOS管源极往上看的小信号电阻为(RL+rDS)/(1+gm*rDS)，电路可以等效看成内阻为RB的电流源与这个电阻的并联。（1）当RL很小时，这个电阻很小，电流基本都从这个电阻（约为1/gm）流过，此时iL=i(in)。随着RL逐渐增大到gm*rDS*RB，这个电阻约为RB，出现拐点。
（2）同理，我们可以看MOS管源极的电压。当RL很小时，这个电阻很小，源极电压很小，ids = -gm*VS很小。随着RL逐渐增大，这个电阻变得比RB还大，假设电流全部流过RB，源极电压为-i(in)*RB，那么ids = gm*i(in)*RB。
最近想换工作啊，脑袋一团浆糊。有错误的话，请指正！
感谢您的细心解答，您的解答完全正确。这里从源极往上看的电阻在Allen书中165页有讲，我只是觉得willy ppt中的i(in)应该表明是小信号。这样不至于产生误解，不过也就是我这样的半吊子才容易误解
学习了
IB可以无视，完事变成阻抗分压。学习了