微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > LPDDR4输出阻抗的设计

LPDDR4输出阻抗的设计

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

各位高手,请教几个关于LPDDR4的输出电阻的问题,欢迎有这两方面的设计或应用经验的高手发表看法。

1. 关于LPDDR4,在JEDEC中有明确写到pulldown的RON和ODT,需要实现40/48/60/80/120/240ohm,请问一下,这个是在voh=VDDQ/2.5的设置时也要满足吗?JEDEC中也明确写到SOC的ODT在voh=VDDQ/2.5时是不支持40/48/60ohm的配置的。不知在实际应用的时候,用户是否在voh=VDDQ/2.5时要求LPDDR4支持40/48/60的pulldown和ODT?在设计上,在voh=VDDQ/2.5时实现40/48/60ohm的pulldown和ODT是很困难的。
2. 关于LPDDR4,在定义SOCODT的MRS中有ODTdisable的选项,请问在什么情况下,LPDDR4的用户会用到SOCODT disable?

2. 在SIP时,可以不用ODT,这样可以少功耗

谢谢你的回复。 如果不用SOC ODT, LPDDR4 这边的输出电阻怎么设置?上拉电阻设置为多少?没有SOC ODT, LPDDR4的输出voh是多少?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top