smic110nm工艺下的仿真问题

小的用smic13提供的pdk来做smic11的模拟电路，目前仿真遇到一个问题，就是关于scale的参数设置问题。厂家有提供smic11的model模型，lib文件中有scale=0.9这个参数，但是小的将这个scale改成其他值，仿真一个反相器发现其输出延时一点变化都没有，也就是说这个lib文件中提供的scale完全没有起到作用，可能只是一个标示语句、于是小的在仿真器中将scale这个参数设成了0.9，于是反相器的延时变快了一些。令我凌乱的地方是厂家提供的shrink文档中提到因为mdl文件已经设置了scale这个参数，所以netlist不需要*0.9，也就说仿真器中的scale这个参数照理是不需要设置的。而且这个scale参数上面还有一个scalem。这又是一个什么东西?希望懂得的大侠帮忙解释一下，感激不尽~！

顶一下了，球解答

为什么不直接用SMIC11的PDK?

似乎没有11的pdk，问了厂家意思是不用在仿真器中设置scale了，但是mim电容smic13和smic11的mdl文件中参数一模一样，单位电容是一样的，最终电容值跟scale也没有关系，实际在制造的时候电容是被shrink了，电容值就会用单位电容*实际面积，电容值实际上是变小的，不知道是不是mdl文件的一个bug

SMIC11和SMIC13的mdl是一样的，但是SCALE=0.9，你用设置一下SCALE仿真MIM电容看看，值应该是不一样的；我就是用的SMIC11，流片了好几个，但是我的电容没用MIM，是用了自己做的叉指电容；欢迎交流

用smic11和smic13的mdl文件去仿真一个电容的充放电时间，仿真结果曲线是重叠的，所以我觉得这边smic11的电容应该是没有scale的。

smic11很不成熟的，都不能量产，还用

那65nm工艺呢?接下去要用这个工艺，不知道工艺成熟度如何。

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