cpl是什么意思，主要原理是什么

SEE"US20160049865"

flyback 须要start up 不能太慢
也跟外挂电容有关, 但高压电阻
sot236flyback 要做到
< 80mw 不容易,

光外面启动电阻
2~4M 就吃多少, 后来很多 power saving < 75mw @264v改内建启动电阻,

当启动完就关掉可以省电,
但是内建启动电阻都是超高压的MOS, 这类mos不是switch方式
LDMOS.

Stat_up使用的ldmos 其rds_on比较大或是使用
JFET
.至于内建gate那mos很多是包cool_mosumos(VMOS ) 比较可大电流,

一般700v gate driver ldmos 电流跟rds_on 都偏大
内建瓦数都不会太大. 最多
<5W,

至于包coolmos 那类因为dip8 也差不多 8~10W能力. 再更大一来mos太大包不下
另外就是会太热超过dip8(有exposePAD帮助只有一点点) . 看专利
US20160049865 是内建
start Up 高压MOS 方式,

须要做
faststart up ,会从
START UP mos gate 分压产生
vth电压跟
vcs做比较用,

CR6228或是OB2358全都有使用这方式
. 其实qfn可以比较大瓦数

不过好像只有DC-DC内建大mos因为瓦数关系
(powerbank使用)比较会使用
. ac-dcPWM 因为价格都滥了
,

QFN 封装成本太高了
. 还有一类是以pi内建藕合
直接拿掉PC817.

谢谢 我先看看