关于VTH自偏置

那是没启动。加个启动电路。

1# whp2203 调节宽长比是可以让MN1截止的，根据输出电压与静态电流来合理选择宽长比让所有管子都饱和导通，当然MN1 MN2刚好比Vth大一点点 是比较好的 这样能达到低功耗要求。
菜鸟理解 望大神拍砖

学习中，等指点

可能有两个1）电路处于未启动状态，2）偏置电流太小，工作在亚阈值区，在亚阈值区，一般VGS<VTH 100mv左右，这也很正常的，阈值电压VTH本来就不是一个固定的点

一般让MN2的W/L足够大，让电阻上的压降可以近似为一个VTH，这样用得比较多

感谢楼上几位哈。
首先，电路中我忘了画启动电路了，启动电路工作是正常的。
按照格雷所讲，MN2的宽长比大些，使得Vov很小比较好。
通过调节MN1的宽长比可以使其工作在饱和区。但是从仿真上看，
MN1在亚阈区与饱和区好像差别不是很大。是不是平时应用的话设计其工作于饱和区，
在低压低功耗的时候可以使其处于亚阈区呢?

我最近也在关注这个结构的设计，谢谢指点

这个结构能起到什么作用呢?小虾一个

工作在亚阈值值区的原因是保证输出电压的稳定，管子在亚阈值区时电流电压的关系从平方关系过渡为指数关系，这样，电流变化很大时，电压的变化相对较小。还有一个原因是这种结构可以实现低噪输出（输出的精度另由状态机来保证，或其他方式），这对ADDA来说很重要，你推导一下就知道了，可以通过阈值基准电流流过一个diode连接的管子来实现，调整管子的尺寸和连接方式可得到欲得到的电话（这个diode的小信号阻抗对输出噪声的抑制作用匪夷所思，很重要）。bandgap说温度系数很低，但是输出噪声很高。

这个是因为你的MN1的尺寸设计不合理吧,增加W/L可以到饱和区

MN1管的VGS<VTH，这很正常呀，压降小莫。

晕死，为了压降小才让管子处在亚阈值区?哥哥，就两个管子啊，难道电源电压小于1V?不知道别这么肯定的误导别人好不好?！

请问这个diode连接的PMOS管是怎样抑制输出噪声的?多谢