请问各家代工厂的技术区别

将要选择工艺进行射频电路的流片，但本人之前的流片经验仅限于几个代工厂，所以想请大家集思广益，
各自将自己熟悉的CMOS　RF工艺的优缺点介绍一下。
希望介绍时明确是什么尺寸的工艺，还有UMC的工艺版上似乎讨论的较少，可否有人介绍自己的经验?
是否各个代工厂有自己比较擅长的工艺，也请大家介绍一下。
我先说一下，
很早以前流片用过上华，现在不知上华如何。
后来用过TSMC RFCMOS 0.35um,近期用过RFCMOS0.18um，感觉测试结果与仿真结果吻合的较好。
还用过JAZZ 的SiGe BiCMOS工艺，测试结果与仿真结果吻合的较好，但每年的MPW流片班车间隔太久。
SMIC工艺，我用RFCMOS　0.18um的工艺作过仿真，感觉layout时不太方便。

RF没搞过，不敢瞎扯。
比较熟悉的团队他们用GF的，具体原因不明。
希望下面有大牛予以解答。我就看看。

帮顶下！

貌似说GF相比TSMC，model准确度稍逊，但比其他好很多。价格上GF也可接受。

TSMC代工领域全球第一不是浪得虚名。

GF Vs SMIC如何?

价格GF会贵些。model与很多细节文档上，smic差距比较大。

加油喔

谢谢各位！欢迎大家继续发表意见与建议。

SMIC的RF器件模型很多是我们这边做的，水的很。写论文可以，做产品呵呵。提这个模型的团队就是之前说用GF的工艺那群人。

奥，是这样SMIC最早一批Model都是超TSMC，所以觉得可信度较低

近期的工艺还是没有改善?还是和一流的差距很大嘛

不应该是确定工艺之后设计电路然后流片吗?你这是电路弄好了然后找个代工厂流片?啥流程

这篇帖子上有啥呀?怎么就成精华了?

他应该是架构做好了。RF系统架构先行，再根据工艺调微观参数就行。

加油哦

TSMC RFCMOS 0.35um upload please

thank you for this