用三极管的BVceo可以做reference么？

大家对这个问题都不感兴趣么?

应该是各个公司自己工艺才能这样把玩

BVceo是b极开路时c对e的击穿电压，cb结先反向击穿，出现电流Icbo，当Icbo增大到使hfe大于1时，触发正反馈，形成雪崩，所谓一次击穿，如果这时限流的话制止它进入二次击穿，则可以当稳压二极管用的，
cb结反向击穿电压BVcbo=si介电常数*（NA+ND）*Emax^2/(2q*NA*ND),NA是b区掺杂浓度，ND是c区掺杂浓度，它完全由工艺所控制。而BVceo和BVcbo正关联，应用时因为b极开路，BVceo要比BVcbo小，小多少取决于Ic小电流时的hfe，hfe越大，BVceo相应变小，我们知道hfe是有较大离散性的。
所以这样看来，如果你能控制工艺，你就能控制住它，据说你是有自己的工艺厂的，你办得到.
至于模型的问题，确实无法仿真，但是可以先估算然后实测校正嘛，对你来说流几次片跟吃几次饭一样简单

楼上的好腻嗨

我们的foundry是生产传感器的专用工艺线，只能溅射和光刻，不做掺杂。
这个电路用的是CSMC 0.5um HV的工艺。
不知阁下是否试过这样用?

听起来很不靠谱的样子。

和CSMC的CE确认过了，这个击穿虽然是隧道击穿，但很容易引起二次击穿，你也提到HFE离散比较大，击穿电流不好控制，还是不搞这种不靠谱的了。多谢解答了哈。

不清楚，等待大神来