新手做一个采样保持电路,问几个问题
有几个问题搞不明白,而且有不少是论文中找不到答案的,特来求前辈解惑
1 衬底的连接,工艺是否允许另接电位,具体到在哪个文件可以看到工艺是双阱还是P阱
2 共模范围和差模范围的关系
共模点偏离中间值会使差模范围变小吗
是不是共模范围受限于共模反馈电路,差模范围受限于电路的工作点电路的线性度?
3 电容翻转型要用到共模反馈那么输入和输出不匹配带来的误差有什么影响,输入和输出相差多大是允许的?
4 放大器的开环放大倍数随共模和差模以及频率变化会减小,怎么考虑?
5 方波采样,幅度要乘以sin(w)/w,这个误差怎么处理?
6 负载电容怎么估计 采样电路的负载包括以下部分:保持模式下翻转的采样电容、第一级MDAC采样,主运放共模反馈电容以及一些寄生电容,是直接相加吗?
7 开关的衬偏效应影响需要考虑吗
8 两相非交叠时钟+下级板采样还要考虑时钟馈通和电荷注入吗
9 放大器的单位增益带宽看到两种计算方法一个是经验公式 GBW>a(N+1)ln2*fs/ 2*pi*ff为反馈系数,a取5
另一个是根据,带宽有限带来的误差小于1/4 LSB推出的理论公式 GBW>(N+2)ln2/2*pi*ts ts为建立时间,
二者的计算值相差2倍多,取哪个或者取中间值?
对于其中任何有任何想法或者了解的请留言,感激不尽
前辈,我现在也在做10位的流水线ADC,关于开关这块,请问你怎么考虑的?比如自举开关,我搭了第一级,自举开关的有效位数太低了
看你的采样保持电路的指标了,介绍AD的书上一般都会讲几种常用的办法去提高采样开关的精度。我介绍一下从哪里入手分析,剩下的看书然后再算算就能明白了。
1、这是一个R+C的低通滤波器,按这个推导提高精度需要(1)减小开关电阻,(2)减小开关电阻随输入电压的变化;
2、开关有电荷注入和时钟馈通,这两个值书上也有公式计算。Singnal dependent的电荷注入会引入非线性,需要减小开关尺寸,或者使采样电容不接输入的那一端(一般是上极板)提前断开/悬空。signal independent的部分利用差分电路可以消除。加dummy据说也是个好办法,但我没怎么用过。
3、kT/C噪声,增大输入电压摆幅增大电容来减小噪声对信号的影响。
一般的bootstrap开关应该能做到14bit1G吧。至于10比特速度不高的话普通的CMOS开关应该也能做到。
前辈你好,我按照你说的一一排查了下。我用的电源电压是3.3V,输入信号共模电平1.86V,所以导通电阻会比较大,引入了非线性。电荷注入和时钟馈通看了书上的理论部分,感觉还是看得少,不是很理解,我打算边仿边理解。电路采用的是差分结构的,采样电容没有提前断开,这个我再调整下。dummy我没有用,不知道在哪些地方加。现在弄这个主要是自己摸索,所以还没有一个大的框架概念,缺乏项目经验。前辈如果您有关于流水线的论文求推荐,我应该多看些论文
谢谢前辈
专业EEPROM 2K~1M,FLASH4~64M存储器件与TVS,ESD保护器件400W~30KW,1206/2512/2725/2728/4527阻值:0.25毫欧到100毫欧功率:1W到5W合金电流采样取样电阻,有可以提供样品与技术支持的,QQ1502203939 Mike贺 15013454307,需要资料也可以随时沟通。