mos管工作状态里的gds和ron有什么区别?
小信号电阻的倒数
ron是mos管工作站线性区的导通电阻
顶起来,谁有更详细的回答!
ron是直流仿真出来的VDS除以IDS,
gds是在这个直流状态下的小信号输出阻抗的倒数。
当管子工作在深线性区时,我们关注的是管子的导通电阻,ron就是管子的导通电阻,此时不关心gds。
当管子工作在饱和区时,我们关心的是输出阻抗,就是1/gds,不用关心ron。
当管子工作在深线性区时,我们关注的是管子的导通电阻,ron就是管子的导通电阻,此时不关心gds。
当管子工作在饱和区时,我们关心的是输出阻抗,就是1/gds,不用关心ron。
感谢你提这么好的问题啊,我一直都没注意它两的区别;
我刚刚和我师兄讨论了,并且我亲自仿真过;
Ron是漏源直流电压差除以通过它的直流电流;
而gds 是小信号等效电路图中ro的倒数;
关于上面的结论我是这么理解的,当MOSFET工作在饱和区,等效为一个大电阻;
Ron表现出来的是直流特性;
gds表现的是交流小信号特性;
不论晶体管工作在饱和区还是线性区;
这两个特性都是成立的;
如果管子工作在线性区,这时要画出电路的交流等效电路图,那这个工作在线性区的管子的等效电阻是用gds,还是用ron?
不管mos管工作在线性区还是饱和区,小信号模型中的输出阻抗永远是1/gds。
ron是大信号输出阻抗。
明白了,谢谢!
如何计算gds值呢
这个能计算么?一般直接看DC工作点数据的吧...小信号电阻r0=1/(λ*Id)=1/gds ,但这个λ的值不知道哪里来啊...
λ是一个工艺参数吧,具体怎么来的还真不知道,同问
那个是沟道调制的系数,一般是通过测试得到的。画出不同栅压下的Ids-Vds关系,之后反向延长曲线 会交到同一点。此点的大小就是early电压。与lamda存在一个运算关系。
学习下
学习了
了解了~
3ku,,,,,,good。
hen hao.....
您好,那如果管子工作在亚阈值区的时候的电阻值该怎么计算?是 ron 还是1/gds ?
亚域区也是一样算的
可以用print dc工作点,就会发现两个并不一样
ac resistance gds=1/ro
学习了!
small signal (ac) impedence
Ron可以认为是直流静态工作点的导通电阻。
1/gds就是在直流点上的交流的导通电阻。
交流阻抗是在多大频率下的?
还是不是很清楚,ron和gds关系具体是什么?交流小信号为什么用个gds表示?
一个是直流参数,一个是交流参数。
是这样吧