如何有效保证设计中的mos管工作在亚阈值区、饱和区和线性区

如题，为使设计的mos管工作在亚阈值区，可以通过降低流过的电流，形成弱反型；在低电流下，采用倒比管，使管子工作在饱和区等
以上是个人理解，但是有点不是很清楚，我该如何有效的设置，即亚阈值区要多“亚”，饱和区要多“饱和”，感觉有时候tt工艺下可以满足，但是换个ss或ff corner就偏离了。请教各位有什么有效的方法吗?

同问，感觉很难把握这个，有比较量化的公式还是其他的什么，有人解答吗?

输入管用亚阈值区，负载管用饱和区

什么意思?能具体说下吗?运放的输入管都工作在亚阈值区?

一般用gm/Id 和 IC-inversion coefficient 这两个值来决定管子的工作去见。
我个人一般就是根据这两个参数来确定的。corner仿真都没问题。

能具体说下IC-inversion coefficient是什么吗?

IC是指器件的反型系数， IC=id/Is,id是漏电流，Is与管子宽长比有关。当IC大于10，一般认为是强反型，小于0.1为弱反型，一般让放大器的输入管工作在弱反型，可以增大增益。具体可以找几篇相关论文。

同求！您现在搞定了吗?貌似这两个是可以仿的。