请教一下，Vdsat，vds， vgs-vt几者之间的关系

请教一下，Vdsat，vds， vgs-vt几者之间的关系
我的理解是在饱和区工作时，vds>vdsat=vgs0-vt，一般的时候vdsat起码要大于200mv。但是我不是很清楚这个200mv的理论依据啊，请大家说说自己的看法呢?还有就是vdsat一般是越大越好?但是在i-v曲线上我好像看不出来啊?
困惑啊！请赐教

或者应该是理解为vds-（vgs-vt）>200mv,这样可以避免因为Corner得偏差使管子进入线性区? 越来越糊涂了

vdsat越大越好?

2楼的理解比较正确，我觉得。
还有vdsat越大越好这说法不对吧，得根据支路电流I的具体大小，以及应用情况而定。

Vds-Vdsat要留一定余量；一是怕管子由于工艺进入线性区；二是饱和区边缘rds较小。

越大越好肯定也不对

希望来个系统、清晰点的解释

在长沟道下，vdsat=vgs-vth=vod
在短沟道下，由于二阶效应，vdsat就不等于vgs-vth，但这个值，spice也好，spectre也好，都是用来判断管子工作区间的。一般来说vdsat<50mV管子基本就工作在线性区。在短沟道下，vdsat几乎不可用手算。
另外vdsat不是越大越好，比如差分输入对，由于要保证一定的增益和带宽，或者是低功耗设计，vdsat很难做到200mv，一般也就100mv多一些。而且输入差分对vdsat小一些，对噪声也有好处。反过来，如果是电流镜，工作在深度饱和区才是有利的

学习。

学习LE

谢谢学习了！

8楼清晰！

学习知识了！

为了使得mos管较好的饱和，一般设置200mV，这只是一种经验性的设计方法，是为了在电流效率和增益中取得一定的平衡，Vgst过大，MOS会进入速度饱和区，gm也不会随vgs增大而增大了，所以通常不会在速度饱和区设计电路，而在短沟道的MOS中，square law已经不满足了，Ids电流与Vgst更接近指数关系，所以如果要按vgst=200mV设计放大器，就尽量采用L较大的管子。另外，在高频应用里，可以使得vgst较大。

3ku...

跟着建辉兄顶一把！

学习啦

给8楼点个赞，解释的很详细

200mV这个值的设置是在电流效率和速度之间Tradeoff的结果
由于gm/Id=2/Vdsat，要得到更大的电流效率，我们就要求Vdsat更小
但是对于同样的电流，Vdsat的减小意味着器件尺寸的增大，这会导致寄生电容的增大，影响器件的速度和摆率

謝謝樓主分享

正在学习

这个很难绝对说200mv吧，对低压电路，100mv已经可以了

學習感謝分享

为什么我在仿真的时候观察管子的DC工作点，有的NMOS管子的vgs小于vth，其vdsat却是正值，按vdsat=vgs-vth的话 ，这个时候vdsat不是应该是负值吗?而且此时的vds还比vdsat大很多，那这个管子不是应该工作在线性区吗?为什么会有vds大于vdsat?

Vdsat在仿真模型里并不等于Vgs-Vth,而是电流饱和时的Vds的值，注意是电流饱和。在考虑短沟的速度饱和效应后，mos管有可能在漏端pinch-off之前达到电流饱和，即电流大小不随Vds变化，而等Vds增大到Vgs-Vth(常说的overdrive voltage,Vov),近漏端才会pinch-off,所以Vdsat<Vgs-Vth。至于亚阈值区及线性区，Vdsat<Vds情况，我认为只是模型的简单带入，而并没有实际电学意义，Vdsat仅仅在所谓的饱和区内才有意义。

200mV不是一个magic number，不同工艺不同的

感谢各位分享，解惑了

8楼学习了

八楼说得很详细

学习了