Bandgap的温度系数与输出电压
不知道设计时一般按照什么样的流程来做，如何折衷呢，如果输出电压有要求时，是否就无法实现0温度系数? 谢谢！
bandgap可以实现一个1.2V左右的ref
通常的办法是实现一个PTAT项 Vref =A * Vbe +B * Delta Vbe/R
设计的时候一般先选结构，根据工艺，是CMOS还是BiCMOS，根据应用，是Low voltage的 还是正常的，根据功耗等
然后根据公式，调整关键电阻的值，把温度系数调到最小
如果仅仅是一阶补偿的话就是一个抛物线啦 高阶补偿的话可以做一些曲率
关于其他的ref的话用运放抬一抬不就行了。
ps lz入行几年了?感觉基础知识还是不够扎实啊，莫生气，只是感觉。
Vref is the resultant of the a positive tempco voltage (multiple delta_Vt's) and a negative tempco voltage (Vbe). Each process/device has its own device characteristic therefore the sweet zero tempco spot is slightly different from process to process, although they all fall within the 1.25v range.
BTW, bandgap circuit has no relation with silicon bandgap. It just happens to be so in the 1.25 voltage range. You can scale it down to any voltage if you chose current summation instead of voltage summation.
if you design opamp based bandgap ckt(which is that there
is one opamp ckt in the ptat ckt(propotional to absolute temperature ckt)
then you must care about the dc offset voltage(input systematic offset voltage
and input random device mismatch voltage)of the opamp you used
because the bandgap voltage
accuracy will be strongly affected by the dc offset voltage of the opamp(see Razavi's
analog ckt design text book Fig 11.12 (bandgap ckt chapter)
if you increase opamp open loop dc gain then it will decrease
input systematic offset voltage;if you choose very large device size for input
differential pair for the opamp and layout style is common centroid
then it will decreaseinput random device mismatch voltage
谢谢各位指导，还有一个问题：我使用的Bandgap vref=Vbe+Vtlnn*R2/R1，通过调节R2的阻值，可以获得比较理想的温度系数。但是输出的电压会偏低，T=25时，只有1.19V，离1.25V有较大的差距，如何调节呢?增加工作电流吗(通过减小R1的电阻)? 这样增加Vbe?
减小n,加大r2/r1试试，不过记得调整电阻值来调整电流。或者把vbe垫高
bucuo...
学习了。可以先产生ＰＴＡＴ电流，在此基础上叠加Ｖbe和R，通过调节R来改变Vref.
2楼说的对，小编你调出来的电压大小是无法掌握的，除非换结构，一般工艺确定了调出来多少是多少，我现在用的工艺调出来一般在1。17左右，如果你想要抬高的的话，救灾加一个运放吧。没办法，那个1.25的理论直真的是理论上的
在加一句，原因市你的电阻不是理想的零温度系数导致的
bandgap的值取决于三极管
改变vbe的发射机面积
来学习了。
也来学习了
做逆向好几年了，感觉电路结构和工艺确定了这个Vref就确定了，不过一般温漂要求也没那么高了
学习学习