RF layout 不需要多围guard ring 吗？
以前画版图时都会在空的地方多打一些guardring ,
电阻第三端也会接在nwell中。MOS管第四端都会成环形，尽量不打断。
最近开始画RFlayout了，负责layout的主管说RF layout只要能run 过 latch up 就能，
尽量少围 p or N guarding ,他认为多围了反而会引入噪声，电源和地都是不干净的。
对于MOS来说也只要像standard cell那样，打一点点就可以了。
我觉得很疑惑，我觉得不围guard ring 应该会引入噪声，guard ring 可以防止噪声进入
MOS，可以起到保护作用呀！而且我一般会给substrate 单独引一根线，最后接入主干
POWER or GROUND。
不知道各位在做RF layout时是怎么围gurad ring 的，希望各位朋友能分享一下大家的经验，
在此先谢谢了
小编，保护环能过滤噪声的原因：是保护环接到了电源，如果你的电源是绝对干净和稳定的，那么保护环周围的环境就非常的安静了，保护环外的噪声被保护环给吸走了，保护环内的东西只能感受到一个由保护环控制的安静稳定的衬底或well了。
但事实上，以单电源供电为例，外部电源通过bongding wire接到chip来，电路里所有的电流变化都会经过bongding wire，bonding wire 的压降V=L*di/dt是变化的，所以芯片内部看到的电源是有噪声的（即使芯片外的电源绝对好）。这样的噪声电源接到保护环后，又会将噪声耦合进了衬底。
所以，你主管的话从逻辑上是对的，但是究竟是电源噪声大，还芯片内部噪声大，需要用方法估计了。保护环加多少合适，就需要工程师的经验了。
你主管说的电源噪声大的原理，是怎么说的，你和他讨论过吗
谢谢你的回复。我的主管就是认为电源时不干净的，所以让我们不要多打guard ring ,做得不好反而会引入噪声
[quote]回复alice_xyf
" 但是究竟是电源噪声大，还芯片内部噪声大，需要用方法估计了。保护环加多少合适，就需要工程师的经验了"
能用什么方法估计啊?我现在做的都是多电源的，
他没有说过，我来再问问！
具体情况具体分析。
实际电路中，有的地是浮地，这个时候打guardring就要有所考虑。
浮地是指最后不bonding 出去的吗，还是指floating 的地?
能不能具体点啊?
芯片内部的地在外围电路中不是地。
学习了，谢谢，你家的小孩很可爱。
你应该和你主管再讨论。搞清楚这个电路的结构再说。layout是基于电路结构的。
不能单纯的说打guard ring多还是少。
你的vdd有没有分开，就是PA，LNA， VCO的power supply有没有分开?
我觉得到地应该专门用一层金属。pad的地应该多，这样的话，打guard ring到nmos没有关系。
不单单围了就行了！要分析来源和解决办法，同时涉及到成本
"负责layout的主管说RF layout只要能run 过 latch up 就能，
尽量少围 p or N guarding ,他认为多围了反而会引入噪声，电源和地都是不干净的。
对于MOS来说也只要像standard cell那样，打一点点就可以了。"
尽量接干净的电源地，就算是电源和地都是不干净的，围成环总比打一点点噪声小啊
少围环只打一点点这样的说法真是第一次听说，不会是泰凌微电子的主管吧?
他是针对所有的RF layout来说的，没有针对哪个具体的电路，建议我们少打；
他觉得如果围成环了，假如有信号线要走线的话，会和guard ring 有交叉，即使信号线是metal2, 或metal3或者更高层次的metal,
都会将guard ring 上的噪声引入。
其实我的想法和你有点相同，我觉得MOS最好是成环围guard ring；
现在我有时都不知道该画MOS的第四端了。特别是PMOS 和NMOS 之间
如果不围保护环的话，不会有更严重的噪声吗，围和不围哪个更加严重?
如果RF工艺不加保护环的话，会不会影响比有环大得多，能详细说明以下不加环比加环还好的原理吗