请教------蒙特卡罗分析与工艺Coner分析的关系？

问题：1. 蒙特卡罗分析与工艺Corner分析(考虑由PVT引起的偏差)有何关系?
2. 假设某个随工艺、电压及温度变化的器件参数为x，请问x在上述两种分析中的极限变化范围一样吗?
诚请各位指点、解惑，谢谢！

蒙特卡洛是在给定的器件容差范围内选取器件的参数，即用伪随机来模拟真实的情况。里面还可以选择 mismatch 和 process。
工艺角仿真是特定的一个方向。没有mismatch。

谢谢指点。
请问：你所指的“给定的器件容差范围”能超过worst case工艺角引起的偏差吗?

对于某个参数，模型中工艺角的偏差好像通常就为MC的3-sigma值。

我的理解是 corner仿真 比如用 fs 那就是所有的nmos都是fast 所有的pmos都是 slow
但是 Montecarlo的话 所有的器件的参数都是随机选择的 比如某个nmos可能比另一个nmos要快
抛砖引玉 如有不对请大神指正

当然不会了。只是随机抽取而已，不过结果在worst case 下可能不是最坏的。

1. 真诚感谢上文诸位的解答；
2. david_reg提到“对于某个参数，模型中工艺角的偏差好像通常就为MC的3-sigma值”，还有wangyanhustdk的表述“当然不会了...”。这些观点的意思均倾向于：在进行MC分析时，器件的参数偏差(以一定方式分布(比如高斯分布)，随机抽取，以3-sigma值为界)不会超过worst corner的偏差。本人也比较支持这种观点。但是，不知道这种观点有没有比较正式的文件阐述?还是需要个人去比较器件的MC-model和worst corner model?