亚阈值设计求助

大家好，现在我有一个100nA的电流输入到cascode电流镜，我的问题是则个电流镜中的MOS管是设置在亚阈值区还是饱和区啊，如果是工作在饱和区的话MOS管的L会设计的特别长而W会比较短，这样的话如果多几路镜像的话版图就会显得不好匹配；如果将MOS管设计在亚阈值的话会不会使得电流的镜像比较不准啊，因为经常看到说要使电流镜工作在饱和区，希望有过低功耗设计经验的前辈指点一下啊。谢谢！

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）

如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

可以用source generation R 来达到matching.

小编你好，谢谢你的回复！我想问一个问题是，如果我做一个工作在亚阈值的电流镜，同时满足vds>4VT的话，这个时候电流镜的栅极电压都相等，电流镜的镜像电流应该不会受到IR drop现象的影响吧

你好，谢谢你的回复啊！我想问一下source generation R是什么意思啊，谢谢！

他的意思是源级加电阻，类似于双极工艺的做法。

当然会！ 比如说nmos的电流镜，你的ground上面要流电流，你要保证两个NMOS的source端（即连到ground上的电流）的电压要一样，在layout上要很小心

嗯嗯，明白啦，谢谢！

100nA的电流，这得要多大的电阻才能造成影响啊

单论100nA的话，应该不会造成什么影响。
genrally的来说，IR造成的电流变化，做亚阈值设计的时候还是要考虑清楚

学习了

谢谢分享

问一下，IR DROP是什么意思。