cadence中mos管的m值如何理解

谈一下我的看法～Ron是定义在MOS管的（深）三极管区（triode region）的，这时候VDS＜＜2(VGS-Vth)，所以近似有ID＝μnCox(W/L)(VGS-Vth)VDS，可以认为ID和VDS近似有线性关系，这种关系表示源漏之间可以看做一个线性电阻表示，即为Ron，记作导通电阻。
类似的，小编可以去探究一下rds是在什么情况下定义出来的。
浅显的认识，欢迎指正。

finger指的是相邻管子共享有源区，SD公用的一组晶体管。M指相邻管子不共享有源区，SD不公用的一组晶体管。在180nm以下涉及WPE和LOD效应时，f与M是有区别的。180nm以上没有WPE和LOD效应时可以认为它们是没有区别的。

大概的理解时这样的，finger是fabricate在同一个有源区域的，比如f=3，那么你在调管子时，很容易发现它们是坐在一起的就是，共享源漏的概念，一般奇数的话，两边上为s，其余为d。
而M 就相当于 你调用了 三个管子 每个管子f=1.
至于为什么要区别 M和f因为它们本质上等效的zong W 数是一样的。
就是楼上说的wpe sti效应把。 就是左右距离的问题。
我觉得可以研究下什么时候要用M什么时候可以简单用nf 就行。

谢谢你的回答，那请问m和figure都是指的管子数目对吧?比如一个管子参数给的是W:120u;L:1u;m:10的话，那是表示这个管子的总宽度为120u，由10个管子组成是吧?是10个管子串联?或者说m和figure的意义是什么?

谢谢你的耐心回答，那请问m和f都是管子并联是吧?如果是这样的话，figure和m等于2的时候，是不是都要把管子的G、D、S端口连起来?

m,f对于管子都是并联关系。

所言极是，在m，f的layout上电路工程师应该告知版图工程师