做带隙基准，应该选哪种电阻，选电阻的原则是什么？

大家好，现在拿到一个新工艺，要做一个电压基准，输出支路就是BJT和PTAT电压叠加，一般为了节省面积和温度补偿的考虑，选择高阻多晶电阻吧，但这个工艺库里好像没有...请教论坛中的高手：
一般应选选方块电阻大的电阻吗，应该选择具有负温度系数的电阻吗?
该工艺中有以下电阻（2端），我应该选哪一种呢?

Silicide N+ Diffusionrndif
Silicide P+ Diffusionrpdif
Silicide N+ Polyrnpo
Silicide P+ Polyrppo
NWell under STIrnwsti
NWell under AArnwaa
Non-silicide N+ Diffusionrndifsab
Non-silicide P+ Diffusionrpdifsab
Non-silicide N+ Polyrnposab
Non-silicide P+ Polyrpposab

上面的电阻中，只有“rnwsti”和 “rpposab”两种方块电阻较大，也只有0.6K，其中前者一阶为正温度系数，后者为负温度系数... 到底该选哪种电阻呢?

Non-silicide P+ Polyrpposab

谢谢！我目前也是选的这种电阻，您知道做基准选电阻的原则吗?

you are right, we all use this resistance for BGreference design ！

选 Non-silicide P+ Polyrpposab这种电阻是对的，选择高阻多晶电阻的标准是TC1<0,TC2>0；这是因为电阻指数温度系数a与归一化电阻一阶线性温度系数TC1之间满足a=TC1*T0，对于正温度系数阱电阻或扩散电阻，因a>0，则电流指数温度系数b=1-a<1,对于负温度系数多晶电阻，因a<0,则b>1;选则b>1会得到更好高阶温度补偿效果的原因：因为不考虑带隙电压VG的非线性项，VBE的非线性高阶项（ln项）系数为-（c-b），c=4-n，n为寄生PNP管发射区载流子迁移率的指数温度系数，一般0.8<n<2,所以2<c<3.2，b越正，则VBE的非线性高阶项（ln项）绝对值越小，用极值思想分析，若VBE中高阶非线性项趋于零，那么具有负温度特性的VBE中只有线性项了，只要用一阶线性补偿就完全可以获得零温度系数电压基准，正是由于VG和VBE的非线性因素所以需要引入高阶非线性量来补偿二者中的非线性项，即所谓的高阶补偿。不知你明白没?多看看paper吧。

看来我学习到的也只是皮毛啊，谢谢楼上的

价格便宜量又足，我们一直都用它。

楼上的笑死我了，哈哈，便宜量足

楼上的笑死我了，哈哈，便宜量足

这个滴大大的强一直只知道是这样 不知道为什么今天长见识了。算是有收获

low temperature cofficient

路过学习学习

那个介绍电阻选择原因的没看明白

这个滴大大的强

mark一下，

长见识了，还有这么多道理

这个解释很强大

强贴留名。说实话，我没看太懂。呵呵。
我一般用poly电阻，寄生电容和漏电都很小。well电阻的电容和漏电比较大啊。

路过学习一下

有见地~

学习了

简单理解是负温系数电阻在高温下会增大电流，使得Vbe减小变缓，可以得到二阶温度补偿。

多谢乐哈，多谢

呵呵学习了一点点 先收藏有空在看

LOW TEMPERATURE COFFICIENT

mark......

Non-silicide P+ Polyrpposab

学习了，感觉很重要

原则。
还是没看懂

留名！