如何做一个与电源无关的电流基准？
根据书上的计算，10%的电源变化引起越0.37%的电流变化，实际中早3~5v范围内则达到1%，在7V以后更是超过了10%。
个人感觉理想与现实差距太大，而且对于图中nmos_4的宽长比该如何确定，也非常迷惑。
求各位前辈解答。
个人认为如果你要实际流片，电阻的非理想性更能导致你的电流源不准，一般电阻的误差能在20%左右。所以VDD导致电流源的误差都有可能是次要因素了。
Ir=Vgs5/R=1/2*un*(W5/L5)(Vgs5-Vthn)^2---->Vgs5
I4=1/2*un*(W4/L4)(Vgs4-Vthn)^2------>Vgs4与W4/L4的关系；
如果考虑到让M5工作在饱和区，可以假定一个比较适当的Vov ---->W4/L4
再根据匹配关系和背栅效应，可以得到W4
非常感谢答复。实际流片电阻的偏差确实影响大于电源的偏差，只是在这个电路中比较看重计算结果和仿真结果的比较，主要是想弄清楚我是不是弄错了或者遗漏了什么。所以没有考虑工艺偏差。当然你的思路也给我很大启发，谢谢！
很详细，非常感谢！
你的那三个代表很犀利啊
7v，超过标称电压了吧?有没有看管子IV?
这肯定是把标准5V器件工作在大于5V的工作情况了，你看5V以内还是不错的。
没有绝对的东西，
如果有bandgap来的VREF，多数设计中会用VREF去产生VREF/R电流。
无论如何一般模拟电路，需要避免击穿出现。
那你bandgap的偏置谁来给?感觉你说的有问题，不符合实际。
在BGR电路中，应该是以VBE差除以R为基础电流吧。自己翻翻教科书就行了。
我说的是BGR中放大器的偏置电流
这个可以和基准电流自偏置的，只要设计好启动电路就好了
应该说只要敢冒险，只要不嫌麻烦，自偏置你来吧！
你好，最近我也在学习这方面的知识，有一点我不太明白的，想请教一下。就是比如说根据你给的第一个公式由Ir=……确定Vgs5之后，通过什么来实现所需要的Vgs5的大小呢?5管的栅压不是接在4管的源极吗?
第一个公式中Vgs，w/l，还有R都不知道，怎么求Vgs的?
看最后一句，先假定一个合适的Vov，这就是需要人发挥的地方。如果什么都是确定的，给一套算法让计算机自己运算好了，就没有所谓的设计了。
这个电路我也仿过 书上说当VDD越大时越精确你这5V显然有点小啊你换个50V试试 变化小多了